IXYS VUO5212NO1

Описание и технические характеристики IXYS VUO5212NO1

Описание:
IXYS VUO5212NO1 – это высоковольтный MOSFET-транзистор N-типа, выполненный по технологии DMOS. Компонент предназначен для использования в импульсных источниках питания, инверторах, промышленном оборудовании и других приложениях, требующих высокого напряжения и тока.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 5 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 3.5 Ом (при I_D = 2.5 A, V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 50 Вт
• Тип корпуса: TO-220 (изолированный)
• Диапазон рабочих температур: -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги:

• IXYS VUO5212N (неизолированный корпус)
• IXYS VUO52-12NO1 (альтернативное обозначение)

Частично совместимые замены (требуется проверка схемы):

• IRFP460 (1000 В, 5 A, R_DS(on) ~ 4 Ом)
• STP5NK120Z (1200 В, 4.2 A, R_DS(on) ~ 6 Ом)
• FQPF5N120C (1200 В, 5 A, R_DS(on) ~ 5 Ом)

Примечание: При замене на аналог важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также особенности корпуса.

Если требуется точная замена, рекомендуется свериться с даташитом производителя или обратиться к поставщику компонентов.