IXYS VUO5218NO1

Описание и технические характеристики IXYS VUO5218NO1

IXYS VUO5218NO1 – это высоковольтный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных преобразователях энергии, импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электродвигателями.

Основные характеристики:

• Тип прибора: IGBT с N-каналом
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): до 50 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 100 А
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (макс.)
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): ~0.18 Ом (тип.)
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (изолированный)

Парт-номера и аналоги:

• IXYS: VUO5218NO1 (оригинал)
• Infineon: IKW50N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD
• IR (Infineon): IRG4PC50UD

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• IXGH50N120B3
• IRGP50B120PD1
• APT50GR120J
• FGH50N120SMD

Применение:

• Инверторы для солнечных электростанций
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Промышленные приводы двигателей
• Сварочное оборудование

Если вам нужна более точная информация по заменам, уточните тип нагрузки и условия эксплуатации.