IXYS VUO55

Описание

IXYS VUO55 – это мощный MOSFET-транзистор с N-каналом, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Компонент выполнен в корпусе TO-247, что обеспечивает эффективное теплоотведение. Основные сферы применения: импульсные источники питания, инверторы, моторные драйверы и силовая электроника.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 550 В | | Максимальный ток стока (I_D) | 32 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_DM) | 128 А | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0,13 Ом (при V_GS = 10 В) | | Потребляемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В | | Время включения/выключения (t_r/t_f) | 45 нс / 35 нс | | Заряд затвора (Q_g) | 60 нКл | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS VUO55-16
• IXFH32N50P
• IXFH32N50Q
• IXFN32N50

Совместимые/близкие по параметрам MOSFET:

• IRFP450 (500 В, 14 А)
• STW32N50M5 (500 В, 32 А)
• FDPF32N50 (500 В, 32 А)
• IRFP460 (500 В, 20 А)

Примечание

При замене на аналоги важно учитывать:

• Напряжение V_DSS (не ниже 550 В)
• Ток стока (не менее 32 А)
• Сопротивление R_DS(on) (желательно близкое к 0,13 Ом)

Если требуется более высокая эффективность, можно рассмотреть MOSFET с меньшим R_DS(on), например, IXYS IXFH32N60P (600 В, 0,12 Ом).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!