IXYS VUO5508NO7

IXYS VUO5508NO7 – это высоковольтный MOSFET-транзистор с оптимизированными характеристиками для импульсных и силовых применений.

Описание:

Компонент относится к серии VUO (Very High Voltage Ultrafast MOSFET) и предназначен для работы в высоковольтных схемах (до 5500 В). Он отличается высокой скоростью переключения, низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой устойчивостью к импульсным нагрузкам.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-channel MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 5500 В |
| Ток стока (I_D) при 25°C | 8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 1.2 Ом (типовое) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 125 Вт |
| Тип корпуса | TO-268 (аналог TO-247) |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

• IXYS VUO5508N07 (полный аналог)
• IXYS VUO5508 (серия, возможны небольшие вариации)
• IXFH8N100 (аналог от Infineon, 1000 В)
• STW8N150 (аналог от STMicroelectronics, 1500 В)
• APT8K50B2 (аналог от Microsemi, 5000 В)

Применение:

• Высоковольтные импульсные источники питания
• Медицинское оборудование (дефибрилляторы, рентгеновские аппараты)
• Индукционные нагреватели
• Системы управления электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.