IXYS VUO55-12N07

IXYS VUO55-12N07 – это мощный MOSFET-транзистор с обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы и системы управления двигателями.

Основные технические характеристики:

• Тип прибора: N-канальный MOSFET + обратный диод
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 55 А (при 25°C)
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 220 А
• Сопротивление сток-исток (R_DS(on)): 0,12 Ом (при V_GS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Тип корпуса: TO-264 (аналог TO-3P)
• Диод обратного восстановления: интегрированный (Body Diode)
• Время обратного восстановления (t_rr): < 200 нс

Аналоги и совместимые модели:

• Прямые аналоги:
  • IXYS VUO55-12NO7 (альтернативное написание)
  • IXYS IXFH55N120
  • APT55GR120J (Microsemi)
  • IRFP4568PbF (Infineon, с похожими характеристиками)
• Близкие по параметрам:
  • IXYS VUO52-12NO7 (52 А, 1200 В)
  • IXYS VUO60-12NO7 (60 А, 1200 В)
  • STW55NM120 (STMicroelectronics)

Применение:

• Силовые инверторы
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление двигателями
• Индукционные нагреватели
• Высоковольтные коммутационные схемы

Если вам нужны более точные аналоги или информация по конкретным заменам, уточните условия эксплуатации (частота переключения, тепловой режим).