IXYS VUO5516NO7

Описание и технические характеристики IXYS VUO5516NO7

IXYS VUO5516NO7 – это высоковольтный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в одном корпусе, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модель отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип прибора | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Корпус | TO-247 |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 55 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 110 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 55 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 280 нс |
| Диод обратного восстановления (Q_rr) | 1,2 мкКл |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера:

• IXYS VUO5516NO7 (оригинальный номер)
• IXYS VUO5516N07 (возможный вариант написания)
• IXGN55N160 (аналогичный IGBT от IXYS)

Совместимые/аналогичные модели:

• Infineon: IHW55N160R5
• STMicroelectronics: STGW55HF160W
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-160
• Mitsubishi: CM600DU-24NFH

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.