IXYS VUO70/16N07

IXYS VUO70-16N07 – это мощный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT-модуль), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как инверторы, импульсные источники питания, промышленные приводы и системы управления электродвигателями.

Технические характеристики:

• Тип: N-канальный IGBT с ультрабыстрым диодом
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 700 В
• Максимальный ток коллектора (I_C): 70 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): до 140 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт (при 25°C)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,7 В (при I_C = 70 А)
• Время включения (t_on): ~45 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (изолированный)

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS VUO70-16NO7 (альтернативное обозначение)
• IXGH70N70 (близкий по характеристикам, но может отличаться корпусом)
• IRG7PH42U (International Rectifier, 600 В, 75 А)
• STGW70H65DFB (STMicroelectronics, 650 В, 70 А)

Совместимые модели (с проверкой по схеме):

• IXYS VUO90-16NO7 (90 А, 700 В)
• IXYS VUO50-16NO7 (50 А, 700 В) – для меньших токов
• Infineon IKW75N65EH5 (650 В, 75 А)

Применение:

• Силовые инверторы и преобразователи
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания (SMPS)

Примечание:

Перед заменой на аналог рекомендуется сверить параметры, особенно V_CES, I_C и корпус. Для точного подбора используйте datasheet производителя.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните!