IXYS VUO8014NO3

Описание и технические характеристики IXYS VUO8014NO3

Тип: Высоковольтный MOSFET-транзистор N-канального типа с изолированным затвором (HV MOSFET)
Применение: Высоковольтные импульсные источники питания, корректоры коэффициента мощности (PFC), инверторы, промышленная электроника.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------|
| Напряжение сток-исток (V_DSS) | 1400 В |
| Ток стока (I_D) | 8 А |
| Максимальный импульсный ток (I_DM) | 32 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 2.5 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4.0 В (тип.) |
| Мощность рассеяния (P_D) | 125 Вт |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Температура хранения/переходного слоя | -55…+150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS VUO 80-14NO3 (альтернативное написание)
• IXYS IXFH8N140 (близкий аналог)
• Infineon IPP80R1K4P7 (аналог с похожими характеристиками)
• STMicroelectronics STW14NK140Z (возможная замена)

Совместимые модели в схемах:

• В схемах ВЧ-инверторов
• В импульсных блоках питания (SMPS)
• В корректорах мощности (PFC)

Примечание:

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как параметры могут незначительно отличаться. Для точного подбора аналога лучше использовать даташит производителя.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.