IXYS VUO80-16N03

Описание

IXYS VUO80-16N03 – это N-канальный MOSFET-транзистор с вертикальной структурой, предназначенный для применения в высоковольтных и высокочастотных устройствах. Основные сферы применения: импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, инверторы, системы управления двигателями и другие силовые электронные устройства.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая устойчивость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 300 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 80 А | | Макс. импульсный ток (I_DM) | 320 А | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) при V_GS = 10 В | 0.016 Ом | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2–4 В | | Макс. мощность рассеивания (P_D) при 25°C | 300 Вт | | Корпус | TO-264 (аналогичен TO-247) | | Температура перехода | -55°C до +150°C | | Заряд затвора (Q_g) | ~140 нКл | | Время включения (t_d(on)) | ~20 нс | | Время выключения (t_d(off)) | ~60 нс |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS VUO80-16N03 (оригинал)
• IXFH80N20 (300 В, 80 А, 0.016 Ом)
• IRFP4568PBF (250 В, 96 А, 0.013 Ом)

Близкие аналоги (схожие параметры):

• STW80N20 (200 В, 80 А, 0.02 Ом)
• IRFP4668PBF (250 В, 130 А, 0.011 Ом)
• FDPF80N20 (200 В, 80 А, 0.02 Ом)

Аналоги в других корпусах:

• IXTH80N20L2 (TO-247, 200 В, 80 А, 0.02 Ом)
• IXFN80N20 (TO-264, 200 В, 80 А, 0.02 Ом)

Примечание

При замене на аналог следует учитывать:

• Напряжение V_DSS (не ниже оригинала)
• Ток I_D (рекомендуется запас по току)
• Сопротивление R_DS(on) (чем ниже, тем лучше КПД)
• Тепловые характеристики (корпус и рассеиваемая мощность)

Если требуется точная замена, лучше использовать оригинальную модель IXYS VUO80-16N03 или IXFH80N20.