IXYS VUO8016NO1

IXYS VUO8016NO1 – это мощный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в высоковольтных и высокочастотных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигательные системы и промышленное оборудование.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В
• Ток коллектора (I_C): 8 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 16 А
• Мощность рассеивания (P_D): 100 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 3 Ом (типовое)
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-220 (изолированный)

Парт-номера и аналоги:

• IXYS VUO8016NO1 (оригинальный номер)
• IXGH16N160 (аналог от IXYS)
• IRG4PC50UD (аналог от International Rectifier)
• HGTG20N60C3 (аналог от ON Semiconductor)

Совместимые модели:

• IXYS VUO120-12NO7 (схожие характеристики, 1200 В, 12 А)
• IXYS VUO110-16NO1 (1100 В, 16 А)
• Infineon IKW40N65H5 (650 В, 40 А, но в схожих схемах)

При замене рекомендуется проверять соответствие характеристик, особенно напряжения V_CES и тока I_C.