IXYS VUO82-12N07

Описание:
IXYS VUO82-12N07 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях, а также в системах управления двигателями. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение | 1200 В | | Макс. ток стока | 8.2 А | | Сопротивление R_DS(on) | 1.2 Ом (при V_GS = 15 В) | | Рассеиваемая мощность | 300 Вт | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Заряд затвора (Q_g) | 45 нКл (тип.) | | Время включения/выключения | 35 нс / 60 нс | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера (аналоги и альтернативы):

1. IXYS VUO82-12N07 (оригинал)
2. IXYS VUO82-08NO7 (близкий аналог с 800 В)
3. Infineon IPW60R041C6 (600 В, 19 А)
4. STMicroelectronics STW12N120 (1200 В, 12 А)
5. Fairchild/ON Semi FCH12N60 (600 В, 12 А)

Совместимые модели (зависит от схемы):

• В DC-DC преобразователях: IXYS VUO110-12NO7 (1200 В, 11 А).
• В инверторах: IXYS VUO82-08NO7 (800 В, 8.2 А).
• Для замены в некоторых схемах: Infineon IPP60R099C6 (600 В, 20 А).

Примечание:
При замене на аналог учитывайте напряжение, ток, R_DS(on) и динамические параметры (Q_g, t_r/t_f). Для высокочастотных применений критичен заряд затвора.