IXYS VVZB12012IO1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS VVZB12012IO1
Описание и технические характеристики IXYS VVZB12012IO1
Описание:
IXYS VVZB12012IO1 — это высоковольтный диодный модуль, предназначенный для выпрямления и управления мощностью в промышленных и силовых электронных приложениях. Модуль выполнен в прочном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и высокую надежность в жестких условиях эксплуатации.
Технические характеристики:
| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип компонента | Высоковольтный диодный модуль | | Макс. обратное напряжение (VRRM) | 1200 В | | Средний прямой ток (IF(AV)) | 120 А | | Пиковый прямой ток (IFSM) | 2400 А (импульсный) | | Прямое падение напряжения (VF) | ~1.6 В (при 120 А) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Корпус | Изолированный (например, модуль типа "Hockey Puck") | | Монтаж | Винтовой (резьбовые контакты) | | Применение | Выпрямители, инверторы, источники питания, промышленные приводы |
Парт-номера и совместимые аналоги
Прямые аналоги (cross-reference):
- Infineon: IDW75E120
- Vishay: VUO120-12NO7
- SEMIKRON: SKKD120F12
Совместимые модели (похожие параметры):
- IXYS VVZB12016IO1 (1600 В, 120 А)
- IXYS VVZB8012IO1 (1200 В, 80 А)
- IXYS VVZB15012IO1 (1200 В, 150 А)
Если вам нужен точный аналог, следует учитывать электрические параметры и конструктивное исполнение (охлаждение, изоляция корпуса).
Нужна дополнительная информация? Готов уточнить!