IXYS VVZB12016IO1

IXYS VVZB12016IO1 – это высоковольтный диодный модуль, разработанный для применения в силовой электронике, например, в инверторах, преобразователях и системах управления мощностью.

Основные технические характеристики:

• Тип: Высоковольтный диодный модуль
• Конфигурация: Два последовательно соединенных диода (Dual Diode)
• Максимальное обратное напряжение (VRRM): 1600 В
• Средний прямой ток (IF(AV)): 12 А (при Tc=85°C)
• Пиковый прямой ток (IFSM): 180 А (импульсный)
• Прямое падение напряжения (VF): ~2,1 В (при IF=12 А)
• Обратный ток утечки (IR): ≤10 мкА (при VRRM и Tj=25°C)
• Температурный диапазон:
  • Рабочая температура (Tj): от -40°C до +150°C
  • Температура хранения (Tstg): от -40°C до +150°C
• Корпус: Изолированный (например, TO-247 или аналогичный)
• Монтаж: Винтовое крепление

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• VVZB12016IO1
• VVZB12016IO1-ND (версия для дистрибьюторов)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IDW30E120
• STMicroelectronics: STTH1612W
• ON Semiconductor: MUR16120CT
• Vishay: VS-16CTQ160

Совместимые модели (похожие параметры):

• IXYS VVZB12012IO1 (1200 В, 12 А)
• IXYS VVZB12020IO1 (1600 В, 20 А)
• IXYS VVZB12030IO1 (1600 В, 30 А)

Применение:

• Выпрямители в мощных источниках питания
• Инверторы для электроприводов
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы рекуперации энергии

Если требуется точная замена, важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые режимы работы, а также тип корпуса.