Freescale AFT20S015NR1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для Freescale AFT20S015NR1.

Описание

Freescale AFT20S015NR1 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой TrenchFET® технологии от Freescale (ныне NXP Semiconductors). Ключевые особенности этого компонента:

• Назначение: Предназначен для управления нагрузкой (ключевой режим) в цепях с низким напряжением. Идеально подходит для приложений, где критичны высокая эффективность и минимизация потерь.
• Ключевые преимущества:
  • Чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Всего 1.5 мОм при 10В на затворе. Это минимизирует падение напряжения и нагрев при протекании тока, что особенно важно в сильноточных применениях.
  • Низкое пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): Позволяет легко управлять транзистором от стандартных логических уровней (3.3В или 5В) современных микроконтроллеров.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям, что снижает динамические потери в импульсных схемах.
• Типичные применения:
  • DC-DC преобразователи (особенно синхронные выпрямители в низковольтных шинах).
  • Управление двигателями в портативных устройствах, игрушках, системах вентиляции.
  • Коммутация силовых цепей в автомобильной электронике (некритичные к температуре узлы), потребительской электронике, источниках бесперебойного питания (ИБП).
  • Схемы защиты (например, защита от обратной полярности с использованием MOSFET вместо диода Шоттки).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение / Условие | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET (TrenchFET) | | | Сток-исток напряжение | V_DSS | 20 В | Максимальное допустимое напряжение. | | Непрерывный ток стока | I_D | 100 А при T_c=25°C | При температуре корпуса 25°C. | | Сопротивление откр. канала | R_DS(on) | 1.5 мОм (макс.) при V_GS=10В, I_D=50А | Ключевой параметр, определяет потери на проводимость. | | | | 2.2 мОм (макс.) при V_GS=4.5В, I_D=50А | Управление от 5В логики. | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.0 – 2.0 В | Тип. 1.5 В. Легкое управление от МК. | | Заряд затвора | Q_g (тип.) | ~65 нКл при V_GS=10В | Влияет на требования к драйверу. | | Макс. мощность рассеяния | P_D | 3.1 Вт при T_A=25°C | С учетом теплового сопротивления корпус-среда. | | Диод сток-исток | — | Встроенный (интегральный body-диод) | Обратная проводимость, важна для индуктивных нагрузок. | | Корпус | — | D²PAK (TO-263) | Мощный, рассчитанный на поверхностный монтаж (SMD) с эффективным отводом тепла через контактную площадку. |

Парт-номера и прямые аналоги

Парт-номер (Part Number) — это и есть AFT20S015NR1. Однако у этого транзистора есть полное коммерческое обозначение, которое может встречаться в спецификациях и на корпусе: FDB7030L (это не аналог, а именно альтернативное обозначение от Freescale/NXP для той же самой детали).

Прямые аналоги и совместимые модели (с очень близкими параметрами)

При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: V_DSS (≥20В), I_D (≥100А), R_DS(on) (≤2-3 мОм при 4.5-10В) и корпус D²PAK.

| Производитель | Парт-номер аналога | Примечание (чем может отличаться) | | :--- | :--- | :--- | | Infineon | IPP040N06S3-05 | Более новое поколение OptiMOS, Rds(on) ~0.4 мОм, но Vdss=60В. Внимание: Напряжение выше, но по остальным параметрам превосходит. | | Vishay / Siliconix | SUD50N04-09L | Vdss=40В, Rds(on) ~0.9 мОм. Очень популярный и мощный аналог. | | STMicroelectronics | STP100N4F6 | Vdss=46В, Rds(on) ~4 мОм. Менее эффективен, но часто используется. | | ON Semiconductor | NTMFS4C10N | Vdss=30В, Rds(on) ~1.1 мОм. Хорошая современная альтернатива. | | IR (International Rectifier) | IRF7416 | Vdss=60В, Rds(on) ~2.6 мОм. Более старое решение, но широко распространено. |

Важно: Перед заменой всегда необходимо:

1. Сверять распиновку (pinout) корпуса D²PAK.
2. Проверять вольт-амперные характеристики (Vgs-th, Qg) в даташите, особенно если транзистор работает на высоких частотах.
3. Учитывать, что современные аналоги (например, от Infineon, NXP) могут иметь значительно лучшие параметры при сопоставимой или более низкой цене.

Вывод

Freescale AFT20S015NR1 (FDB7030L) — это мощный и эффективный низковольтный MOSFET, являвшийся в свое время отличным решением для сильноточных низковольтных ключей. На сегодняшний день он может быть с успехом заменен более современными аналогами от Infineon, Vishay или ON Semiconductor с улучшенными характеристиками.