Freescale MRF5S19060NB

Отличный выбор! Freescale (ныне NXP Semiconductors) MRF5S19060NB — это мощный и очень популярный LDMOS-транзистор для усилителей мощности в диапазоне УВЧ, разработанный для базовых станций сотовой связи.

Описание

MRF5S19060NB — это транзистор N-канального типа, изготовленный по передовой технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor). Ключевые особенности, которые сделали его отраслевым стандартом:

• Назначение: Усилитель мощности в выходном каскаде базовых станций сотовой связи стандартов GSM, EDGE, CDMA, W-CDMA, LTE в диапазоне 1800 – 2200 МГц (с оптимальной работой вокруг 2 ГГц).
• Архитектура: Спроектирован для работы в режиме AB (для аналоговых и линейных сигналов) с высоким коэффициентом усиления и хорошей линейностью, что критично для современных цифровых модуляций.
• Ключевые преимущества:
  • Высокий коэффициент усиления мощности: Позволяет строить каскады с меньшим количеством ступеней.
  • Высокая линейность (IP3): Минимизирует интермодуляционные искажения, расширяя динамический диапазон.
  • Внутренняя согласованность по входу/выходу: Упрощает проектирование ВЧ-тракта.
  • Высокая надежность и стойкость к условиям несогласованности нагрузки (VSWR): Важное требование для телекоммуникационного оборудования.
  • Интернал-матчинг: Упрощает проектирование ВЧ-тракта.

Технические характеристики (основные)

• Диапазон частот: 1800 – 2200 МГц
• Класс работы: AB (для линейного усиления)
• Выходная мощность (Pout):
  • 180 Вт (пиковая) при типичных условиях для сигналов с пик-фактором (например, W-CDMA).
  • 60 Вт (средняя) в типичном режиме работы.
• Напряжение питания (Vdd): 28 В (номинальное, типичное для телеком-инфраструктуры).
• Коэффициент усиления мощности (Gps): ≥ 15 дБ (типично при номинальных условиях).
• КПД (η): > 30% (типично для линейного режима).
• Линейность (IP3): ~55 дБм (типично), что указывает на отличную способность усиливать сложные сигналы без искажений.
• Сопротивление нагрузки (Ropt): ~ 2.5 Ом (оптимальное для согласования).
• Тип корпуса: NI-780S-4 (также известный как "Air Cavity" или "Over-Molded Plastic"). Это корпус с керамической крышкой, предназначенный для непосредственного монтажа на радиатор, с 4 выводами (2 входа, 2 выхода) и встроенными согласующими элементами.
• Полярность: N-канальный, Enhancement mode (нормально закрытый).

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Это семейство транзисторов имеет несколько вариантов с разной маркировкой от Freescale/NXP и аналогов от других производителей.

1. Прямые аналоги от NXP (Freescale):

• MRF5S19060NBR5 — это полное обозначение для заказа на ленте (tape and reel). "R5" указывает на поставку в корпусе для автоматического монтажа.
• MRF5S19060N — базовая часть номера, может встречаться в документации.
• MRF5S19060NB — наиболее распространенное обозначение самого кристалла/устройства.

2. Функционально совместимые / Прямые замены от других производителей:

Эти модели позиционируются как "drop-in" или "second source" замены с очень схожими характеристиками и одинаковым корпусом NI-780S-4:

• Ampleon (ранее часть NXP):
  • BLF6G22-60 — Прямой наследник и аналог от того же подразделения, которое было выделено в Ampleon. Часто рекомендуется как основная замена.
• STMicroelectronics:
  • STAC3942 — Один из самых известных прямых аналогов, широко используется.
• Integra Technologies:
  • IHF6G22-60 — Функциональный аналог.
• RFHIC: Также предлагают совместимые модели.

3. Модели из того же семейства/серии (с другими мощностями):

• MRF5S19040N — менее мощная версия (~40 Вт средней мощности).
• MRF5S19100N / MRF5S19120N — более мощные версии (100-120 Вт средней мощности) в схожем корпусе, но требующие пересчета схемы.

Важное примечание:

Несмотря на заявленную "прямую заменяемость", всегда необходимо консультироваться с актуальными даташитами и проводить тестирование в конкретной схеме. Могут быть незначительные различия в паразитных параметрах, требованиях к смещению или тепловом режиме, которые могут повлиять на конечные характеристики усилителя.

Области применения: Выходные каскады усилителей мощности для базовых станций 2G (DCS), 3G (UMTS), 4G (LTE) в полосах 1800 МГц, 2100 МГц, а также для других систем связи в диапазоне 2 ГГц.