Freescale MRF8P20140WHS

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели транзистора Freescale/NXP MRF8P20140WHS.

Описание

MRF8P20140WHS — это мощный N-канальный LDMOS транзистор, разработанный специально для использования в усилителях мощности (PA) базовых станций сотовой связи, работающих в частотном диапазоне 2300-2700 МГц. Этот диапазон охватывает ключевые протоколы 4G/LTE (полосы 7, 38, 41) и 5G NR.

Ключевые особенности:

• Высокая выходная мощность: Предназначен для работы на высоких уровнях мощности, характерных для макро- и микросот.
• Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает эффективное усиление сигнала.
• Широкополосность: Способен работать в широкой полосе частот без необходимости перестройки, что упрощает проектирование многополосных и широкополосных систем.
• Высокая линейность (низкий ACLR): Критически важный параметр для современных цифровых модуляций (QAM, OFDM), используемых в LTE и 5G, позволяющий минимизировать помехи в соседних каналах.
• Технология LDMOS: Обеспечивает хорошее сочетание мощности, эффективности, линейности и надежности при работе с высокими напряжениями.
• Керамический корпус с воздушным охлаждением: Корпус WHS (Wireless Hermetic Small) предназначен для непосредственного монтажа на теплоотвод с принудительным воздушным охлаждением, обеспечивая эффективный отвод тепла.

Основное применение: Выходные каскады усилителей мощности для базовых станций LTE (B7, B38, B41) и 5G NR в диапазоне 2.3-2.7 ГГц.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Freescale (поглощена NXP Semiconductors) | | | Тип транзистора | N-Channel Enhancement-Mode LDMOS | | | Корпус | WHS (Wireless Hermetic Small), керамика | Фланцевый, для воздушного охлаждения | | Диапазон частот | 2300 - 2700 МГц | Оптимизирован для работы | | Рабочее напряжение (Vdd) | 32 В (номинал), 50 В (макс.) | Типичное для LDMOS в инфраструктуре | | Выходная мощность (Pout) | 140 Вт (средняя) | В типовом режиме работы (например, 7-8 дБ PAPR для LTE) | | Коэффициент усиления (Gps) | 19 дБ (тип.) | При Pout=140 Вт, f=2500 МГц | | КПД (Drain Efficiency) | > 50% (тип.) | При Pout=140 Вт, f=2500 МГц | | Линейность (ACLR) | < -50 дБн (тип.) | Для сигналов LTE, критичный параметр | | Статический ток стока (Idq) | 120 - 400 мА | Настраивается для оптимальной линейности | | Крутизна (Gfs) | 7.5 См (тип.) | | | Макс. температура перехода (Tj) | +200 °C | | | Сопряжение по входу/выходу | Внутренне согласовано до 50 Ом | Упрощает проектирование ВЧ тракта |

Примечание: Все типовые параметры указаны при Vdd=32 В, Idq=200 мА, частоте ~2500 МГц и импульсном режиме ( duty cycle).

Парт-номера и аналоги

Поскольку Freescale была поглощена компанией NXP Semiconductors, этот транзистор теперь является частью портфолио NXP. Он также может обозначаться под различными кодами заказчика или входил в отраслевые каталоги.

• Основной номер производителя: MRF8P20140WHS
• Номер в каталогах NXP: MRF8P20140WHSR6 (суффикс "R6" часто указывает на вариант упаковки/ленты).
• Код заказа у NXP: 9353 190 01118
• Распространенный парт-номер / Ordering Code: MRF8P20140

Совместимые и аналогичные модели

Прямых "капле-в-каплю" аналогов с тем же номером корпуса и характеристиками может не быть, но следующие транзисторы от NXP и других производителей предназначены для схожих применений (диапазон 2.3-2.7 ГГц, мощность ~100-150 Вт) и могут рассматриваться как функциональные аналоги или замены при перепроектировании:

От NXP (прямой наследник Freescale):

• MRF8P20165H / MRF8P20180H — Модели следующего поколения в корпусе "H" (пластиковый, для воздушного охлаждения). Обладают улучшенными характеристиками (мощность, КПД, линейность) и являются эволюционным развитием серии MRF8P20140.
• MRF8P20100HS / MRF8P20120HS — Модели с мощностью ~100-120 Вт в схожем керамическом корпусе HS. Подходят для менее мощных каскадов.
• AFT27S010NR3 / AFT27S012NR3 — Усилительные модули (Doherty) от NXP, в которых может использоваться подобная LDMOS-технология, но в виде готового решения.

От других производителей:

• Ampleon (бывшее подразделение RF Power NXP):
  • BLF8G27LS-140V / BLF8G22LS-140V — Мощные LDMOS транзисторы для диапазонов 2.6-2.7 ГГц и 2.1-2.2 ГГц соответственно. Ampleon унаследовала многие технологии от NXP/Freescale.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH27060F / CGH27030F — Транзисторы на основе технологии GaN-on-SiC. Предлагают более высокую мощность, КПД и широкополосность при сравнимом форм-факторе, но, как правило, по более высокой цене. Являются современной альтернативой для новых разработок.
• MACOM:
  • MHT-2103S / MHT-2108S — Транзисторы LDMOS/GaN для схожих частотных диапазонов и уровней мощности.

Важное предупреждение: Несмотря на схожесть назначения, эти модели не являются прямыми взаимозаменяемыми. Для замены требуется обязательная проверка:

1. Электрическая совместимость: Рабочее напряжение, смещение (Vdd, Idq), ВЧ-характеристики (S-параметры, согласование).
2. Тепловые характеристики и корпус: Геометрия фланца, расположение выводов, требования к теплоотводу.
3. Схема согласования: Входные и выходные matching-цепи платы должны быть пересчитаны или оптимизированы под новую модель.

Рекомендация: Для ремонта или прямого использования ищите оригинальную модель MRF8P20140WHS. Для новых проектов рассматривайте более современные аналоги от NXP или Ampleon (LDMOS) и Wolfspeed (GaN).