Freescale MRF8S18120HR3

Отличный выбор! Freescale MRF8S18120HR3 — это высокомощный транзистор LDMOS, разработанный для финальных каскадов усиления в базовых станциях сотовой связи стандартов GSM, EDGE, TD-SCDMA, W-CDMA и LTE.

Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.

Описание и применение

MRF8S18120HR3 — это N-канальный транзистор, изготовленный по передовой технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от Freescale (ныне NXP Semiconductors). Ключевые особенности:

• Высокая выходная мощность: Предназначен для работы в мощных финальных каскадах передатчиков базовых станций.
• Высокий КПД: Обеспечивает хорошую энергоэффективность, что критично для снижения тепловыделения и эксплуатационных расходов.
• Широкая полоса пропускания: Способен работать в широком диапазоне частот, что позволяет использовать один модуль для нескольких полос.
• Внутренняя согласующая цепь: Упрощает проектирование выходного каскада, так как часть согласования уже выполнена внутри корпуса.
• Высокая линейность: Необходима для современных цифровых модуляций (W-CDMA, LTE), где важна минимальная интермодуляция.
• Корпус: Выполнен в прочном, термостойком керамическом корпусе Air Cavity, оптимизированном для ВЧ-мощности и эффективного отвода тепла.

Типовые применения:

• Финальные каскады усилителей мощности (PA) базовых станций сотовой связи.
• Усилители мощности для систем радиосвязи общего назначения в УВЧ-диапазоне.
• Промышленное оборудование, требующее высокой ВЧ-мощности.

Основные технические характеристики (ТХ)

При типовых условиях (Vdd = 28 В, f = 1800 МГц, режим AB):

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 1800 – 2000 МГц | Оптимизирован для полос 1.8 – 2.0 ГГц (DCS, PCS) | | Выходная мощность (Pout) | 120 Вт (51 дБм) | Средняя мощность при двухтональном сигнале | | Коэффициент усиления (Gain) | 18 дБ (тип.) | | | КПД (Drain Efficiency) | > 45% (тип.) | | | Линейность (ACLR) | < -50 дБc | Для сигналов W-CDMA/LTE | | Напряжение питания (Vdd) | 28 В (номинал) | Стандартное для LDMOS транзисторов БС | | Напряжение отсечки (Vth) | 1.5 – 2.8 В | | | Ток покоя (Idq) | 150 – 500 мА | Настраивается для режима AB | | Термосопротивление (RthJC) | 0.25 °C/Вт | От перехода к корпусу — критично для теплового расчета | | Класс усиления | AB | Оптимальный баланс мощности, КПД и линейности | | Схемотехника | Внутренняя предсогласованная | Упрощает внешнюю обвязку |

Парт-номер (Part Number) и варианты упаковки

Основной и полный парт-номер — MRF8S18120HR3.

• Этот номер обычно указывается на корпусе устройства.
• При заказе у дистрибьюторов или у NXP используется именно он.

Информация о упаковке для автоматизированного монтажа (обычно указана в даташите):

• Тип ленты (Reel): Стандартная для компонентов в корпусе SMD.
• Количество в катушке (Reel Quantity): Как правило, 30 штук для таких крупных и дорогих компонентов (уточнять в актуальном даташите).

Совместимые модели и аналоги

При поиске замены или аналога важно учитывать не только мощность и частоту, но и геометрию корпуса, расположение выводов (pinout) и внутреннюю схему согласования.

1. Прямые аналоги и замены от NXP (бывш. Freescale):

Эти модели имеют максимальную схожесть по характеристикам и, часто, по корпусу.

• MRF8S18120H — Более ранняя или основная версия того же транзистора. Суффикс R3 может обозначать определенную ревизию или упаковку. Часто они взаимозаменяемы, но требуется проверка даташитов.
• MRF8S20120HSR3 / MRF8S20120H — Аналог, оптимизированный для полосы 2000-2200 МГц, но часто может использоваться и на 1.8-2.0 ГГц с некоторой коррекцией схемы.
• MRF8S21120H — Модель мощностью 120 Вт, оптимизированная для диапазона 2110-2170 МГц (UMTS).
• AFT27S190N — Транзистор от NXP в аналогичном форм-факторе и мощности, но может иметь отличия в pinout.

2. Аналоги от других производителей (Внимание! Требуется тщательная сверка даташитов и pinout!):

• Ampleon (бывшее подразделение RF Power NXP):
  • BLF8G27LS-120PV / BLF8G22LS-120PV — Мощные LDMOS транзисторы от Ampleon, прямые конкуренты в том же сегменте. Критически важно проверять распиновку и конфигурацию!
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH31240F — Транзистор на основе GaN (нитрид галлия). Имеет более высокий КПД и рабочую температуру, но другую электрическую характеристику и требует перепроектирования каскада. Не является "прямой заменой", но современная альтернатива для новых разработок.
• Qorvo / MACOM:
  • Производители также имеют обширные линейки LDMOS и GaN транзисторов для инфраструктуры (например, MHT-2103B от MACOM или продукты Qorvo). Подбор требует детального сравнения.

Важное предупреждение:

Перед заменой MRF8S18120HR3 на любую другую модель необходимо:

1. Внимательно изучить даташиты обоих компонентов.
2. Сравнить распиновку (pinout) и геометрию корпуса.
3. Проверить схему внутреннего согласования (input/output impedance).
4. Убедиться в совместимости по напряжениям, токам и тепловым режимам.
5. В идеале — провести тесты в реальной схеме.

Для получения самой актуальной информации всегда обращайтесь к официальному даташиту на сайте NXP Semiconductors.