Epcos B82476B1682M100
тел. +7(499)347-04-82
Описание Epcos B82476B1682M100
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для дросселя Epcos (TDK) B82476B1682M100.
Общее описание
Epcos B82476B1682M100 — это силовой дроссель (катушка индуктивности) для планарного монтажа (SMD) из серии B82476B (ранее известной как B82477). Эти компоненты широко используются в силовых электронных устройствах для подавления электромагнитных помех (EMI), сглаживания тока и накопления энергии в DC-DC преобразователях.
Ключевые особенности:
- Магнитный сердечник: Ферритовый, закрытого типа (магнитное экранирование), что минимизирует паразитные магнитные поля и помехи соседним компонентам.
- Конструкция: Прочная, предназначена для автоматизированного монтажа (SMD).
- Назначение: Фильтрация синфазных и дифференциальных помех в силовых цепях, особенно в цепях питания процессоров, памяти, в импульсных источниках питания (SMPS).
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель / Бренд | EPCOS (TDK) | С 2008 года Epcos является частью корпорации TDK. | | Серия | B82476B (B82477) | Серия силовых SMD дросселей. | | Индуктивность (L) | 6.8 мкГн (микрогенри) | ±20% (стандартный допуск для таких компонентов). | | Номинальный ток (Iном) | ~8.2 А | Ток, при котором индуктивность падает на 10-30% (зависит от температуры). Требуется уточнение по даташиту. | | Ток насыщения (Isat) | ~10.0 А | Ток, при котором индуктивность падает на 20-30% (критичный параметр для работы в преобразователях). Требуется уточнение по даташиту. | | Сопротивление постоянному току (DCR) | ~10.5 мОм (миллиом) | Типовое значение. Влияет на потери и нагрев. | | Резонансная частота (SRF) | > 30 МГц | Минимальная частота собственного резонанса. | | Рабочая температура | -55 °C ... +125 °C | Стандартный диапазон. | | Корпус (типоразмер) | 1812 (4528 метрический) | Размер: ~4.5 мм x 2.8 мм. | | Код упаковки | M100 | Обозначает способ упаковки для автоматического монтажа (на ленте, в катушке). |
Важное примечание: Точные значения Iном и Isat могут незначительно варьироваться в зависимости от условий измерения (температуры, частоты). Для проектирования критичных цепей настоятельно рекомендуется использовать официальный даташит (техническую спецификацию) на серию B82476B.
Парт-номера и прямые аналоги
Этот компонент имеет стандартную систему маркировки TDK/Epcos. Прямыми аналогами являются компоненты с точно такой же маркировкой от других официальных дистрибьюторов или под тем же брендом TDK.
- TDK B82476B1682M100 — Тот же компонент, так как Epcos входит в TDK.
- B82476B1682M100 — Основная часть номера, по которой осуществляется поиск.
Совместимые модели (функциональные аналоги)
При замене необходимо учитывать ключевые параметры: индуктивность, ток насыщения (Isat), ток по нагреву (IRMS), DCR, размер корпуса и частотные характеристики.
Аналоги от других производителей в корпусе 1812/4528:
- Würth Elektronik: WE-LHMI серия (например, 74437356068 - 6.8 мкГн, 9.8A Isat, 11.5 мОм). Нужно подбирать по току.
- Murata: DLR серия.
- Taiyo Yuden: NRS серия.
- Vishay Dale: IHLP серия (например, IHLP-2525CZ-6A8 - другой корпус, но популярная серия).
- Bourns: SRR серия.
Как подобрать аналог:
- Индуктивность (L): 6.8 мкГн.
- Ток насыщения (Isat): Не менее 10 А.
- Ток по нагреву (IRMS): Не менее 8 А.
- DCR: Желательно сопоставимое или меньшее значение (~10 мОм).
- Корпус: 1812 (4528). Внимание: возможна замена на компонент в другом корпусе (например, 2520 или 4040), если позволяет площадь платы и высота.
Области применения
- DC-DC преобразователи (особенно понижающие - Buck-конвертеры) для питания процессоров, FPGA, ASIC.
- Фильтры входной/выходной цепи импульсных блоков питания.
- Системы подавления EMI в телекоммуникационном и сетевом оборудовании.
- Потребительская электроника: Материнские платы, видеокарты, SSD-накопители высокой производительности.
Рекомендация: Для замены в ремонте или нового проектирования всегда сверяйтесь с даташитом производителя на конкретную серию компонентов, чтобы убедиться в полном соответствии электрических и тепловых параметров.