Infineon BC808-40WE6327
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon BC808-40WE6327
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon BC808-40WE6327.
Общее описание
BC808-40WE6327 — это маломощный PNP биполярный транзистор общего назначения (BJT), выполненный в миниатюрном корпусе SOT-323. Он предназначен для применения в усилительных и переключающих схемах с низким напряжением и током. Благодаря своим характеристикам и малому размеру, он широко используется в портативной электронике, аудиоустройствах, схемах управления и логических интерфейсах.
Ключевые особенности:
- Тип проводимости: PNP.
- Корпус: SOT-323 (компактный, для поверхностного монтажа).
- Назначение: Усиление и переключение малых сигналов.
- Материал: Кремний (Si).
Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings)
Параметры, которые нельзя превышать для безопасной работы:
| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение | VCEO | -40 | В | | Коллектор-База напряжение | VCBO | -40 | В | | Эмиттер-База напряжение | VEBO | -5 | В | | Постоянный ток коллектора | IC | -500 | мА | | Рассеиваемая мощность (при Tamb=25°C) | Ptot | 300 | мВт | | Температура перехода | Tj | от -55 до +150 | °C | | Температура хранения | Tstg | от -55 до +150 | °C |
Электрические характеристики (Typical/Key Parameters)
Характеристики при нормальных условиях работы (Tamb=25°C, если не указано иное):
| Параметр | Обозначение | Условия измерения | Значение (мин/тип/макс) | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коэффициент усиления по току | hFE (или β) | VCE = -5V, IC = -10mA | 250 / 400 / 630 | — | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | VCE(sat) | IC = -100mA, IB = -10mA | — / -0.25 / -0.5 | В | | Напряжение насыщения База-Эмиттер | VBE(sat) | IC = -100mA, IB = -10mA | — / -0.9 / -1.2 | В | | Граничная частота усиления | fT | VCE = -5V, IC = -10mA | — / 250 | МГц | | Емкость коллектор-база | Cob | VCB = -10V, f = 1 МГц | — / 5 | пФ |
Распиновка (Pinout) для корпуса SOT-323
Вид сверху на корпус (маркировкой вниз):
1 2 3
| | |
/¯¯¯¯¯¯¯¯¯\
| |
|_________|
- Вывод 1 (Pin 1): Эмиттер (E)
- Вывод 2 (Pin 2): База (B)
- Вывод 3 (Pin 3): Коллектор (C)
Важно: Всегда сверяйтесь с даташитом производителя, так как распиновка может отличаться у транзисторов от других брендов в том же корпусе.
Парт-номера и прямые аналоги
1. Прямые аналоги от Infineon (тот же корпус и характеристики):
- BC808-25WE6327 (с меньшим коэффициентом усиления hFE: 160-400)
- BC808-16WE6327 (с еще меньшим коэффициентом усиления hFE: 100-250)
- BC807-40WE6327 — это NPN-версия данного транзистора. Часто используются вместе в комплементарных парах (push-pull).
2. Прямые функциональные аналоги от других популярных производителей: Эти транзисторы имеют схожие основные параметры (VCEO = -40В, IC = -500мA, корпус SOT-323) и могут быть использованы как замена, но требуется проверка распиновки и детальное сравнение даташитов.
- ON Semiconductor / Fairchild: MMBT5401 (очень распространенный и популярный аналог)
- Nexperia (бывш. Philips): PBSS5540Z
- Diodes Incorporated: BCX56-16
- ROHM: 2SA1576A
- STMicroelectronics: PBSS5540X
3. Классические "сквозные" (THT) аналоги в корпусе TO-92:
- 2N5401 (прямой аналог в корпусе TO-92)
- BC556B, BC557B (с меньшим напряжением VCEO)
Совместимые и парные модели (комплементарные пары)
Для построения симметричных схем (например, выходные каскады усилителей) используются комплементарные пары — NPN и PNP транзисторы с максимально близкими характеристиками.
-
Основная комплементарная пара Infineon:
- BC808-40WE6327 (PNP) + BC807-40WE6327 (NPN)
-
Популярные комплементарные пары от других производителей:
- MMBT5401 (PNP) + MMBT5551 (NPN) (от ON Semi/Fairchild)
- 2N5401 (PNP) + 2N5551 (NPN) (в корпусах TO-92)
Типичные области применения:
- Усилители низкой частоты (НЧ) и предусилители.
- Ключи для управления реле, светодиодами, небольшими нагрузками.
- Цифровые логические интерфейсы и инверторы.
- Генераторы сигналов.
- Стабилизаторы и схемы защиты в источниках питания.
Рекомендация: Перед заменой на аналог всегда проверяйте даташиты (datasheet) обоих компонентов, уделяя особое внимание распиновке (pinout), коэффициенту усиления (hFE) и вольт-амперным характеристикам в вашем конкретном режиме работы схемы.