Infineon BSP300H6327XUSA1

Отличный выбор! Infineon BSP300H6327XUSA1 — это высоконадежный и популярный P-канальный MOSFET в компактном корпусе, предназначенный для коммутации нагрузок в низковольтных системах.

Описание

Infineon BSP300H6327XUSA1 — это P-канальный MOSFET, оптимизированный для низковольтных приложений с высоким током нагрузки. Его ключевая особенность — чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), что минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации силовых цепей.

Основные сферы применения:

• Управление питанием (Load Switching): Включение/выключение отдельных модулей или периферии в устройствах для экономии энергии (например, в IoT-устройствах, материнских платах, ноутбуках).
• Защита от обратной полярности (Reverse Polarity Protection): Часто используется в цепях питания для предотвращения повреждения устройства при неправильном подключении батареи или источника питания.
• DC-DC преобразователи: В синхронных схемах преобразователей (в паре с N-канальным MOSFET).
• Модули реле и соленоидов: Коммутация индуктивных нагрузок.
• Портативная электроника, аккумуляторные инструменты, системы управления батареями (BMS).

Корпус: SOT-223 — удобный для пайки как вручную, так и на производстве, обеспечивает хороший отвод тепла благодаря металлической площадке.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | P-канальный MOSFET (Logic Level) | Управляется низким напряжением затвора | | Структура | Single | | | Корпус | PG-SOT-223-3 | Аналог SOT-223 | | Полярность | P-Channel | | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | -30 В | Максимальное допустимое напряжение | | Ток стока (I_D) | -3.5 A | Постоянный ток при T_C=25°C | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | < 50 мОм | Ключевой параметр! При V_GS = -10 В | | | < 80 мОм | При V_GS = -4.5 В (логический уровень) | | Напряжение затвора (V_GS) | ±20 В | Максимальное напряжение между затвором и истоком | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | от -0.8 до -2.5 В | Тип. -1.5 В (при I_D = -250 мкА) | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~12 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера | | Рабочая температура перехода (T_J) | от -55 до +150 °C | |

Важное преимущество: Этот транзистор является Logic-Level, то есть он полностью открывается уже при напряжении на затворе -4.5 В (или даже меньше), что позволяет управлять им напрямую с выходов микроконтроллеров (3.3В или 5В), без необходимости использования дополнительных драйверов.

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги / Cross-Reference)

При поиске аналога важно обращать внимание на: P-Channel, V_DSS = -30В, I_D ~ -3.5А, Low R_DS(on), корпус SOT-223.

Прямые аналоги от Infineon (часто с незначительными вариациями в параметрах):

• BSP300H6327 — базовая часть номера без суффикса USA1 (USA1 часто указывает на упаковку/ленту).
• BSP315P — очень близкий аналог в том же корпусе.
• BSN304 — устаревшая, но совместимая модель.
• Серии IPD от Infineon (например, IPD300P03S4-04) — могут иметь схожие характеристики.

Аналоги от других популярных производителей:

| Производитель | Парт-номер | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Diodes Incorporated | DMP3056L-7 | Очень популярный и часто используемый прямой аналог. | | ON Semiconductor | NTJD3155N | P-канальный, -30В, -3.5А, SOT-223. | | Vishay / Siliconix | Si2345DS | P-канальный, -30В, -3.7А, Logic Level. | | STMicroelectronics | STD15P3LLH6 | P-канальный, -30В, -3.8А, Low R_DS(on). | | Nexperia | PMV65XP | P-канальный, -60В, -3.3А, но с более высоким напряжением. | | Alpha & Omega Semiconductor | AOD417 | P-канальный, -30В, -4.2А, Logic Level. |

Важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами (Datasheet) конкретной модели, особенно по таким параметрам, как пороговое напряжение (V_GS(th)), заряд затвора (Q_g) и характеристики корпуса, чтобы убедиться в полной совместимости в вашей схеме.