Infineon DD261N22K

Отличный выбор! Infineon DD261N22K — это высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, разработанный для требовательных приложений, где необходима высокая эффективность и надежность. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Краткое описание и основные особенности

Infineon DD261N22K — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-263-3 (D²PAK), предназначенный для работы с высоким напряжением (до 600 В). Он является частью линейки CoolMOS™ P7 от Infineon — седьмого поколения знаменитой технологии Superjunction (CoolMOS), которая задает отраслевые стандарты по соотношению потерь проводимости и коммутационных потерь.

Ключевые преимущества и области применения:

• Высокая эффективность: Оптимизирован для работы на высоких частотах, что позволяет уменьшать размеры пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов) в конечных устройствах.
• Высокая надежность и стойкость: Обладает исключительной устойчивостью к динамическому включению (dv/dt) и высокой стойкостью к лавинным breakdown (UIS).
• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери проводимости даже при высокой плотности тока.
• Оптимизированный внутренний диод: Быстрый и мягкий обратный диод уменьшает потери при коммутации.

Типичные области применения:

• Источники питания с коррекцией коэффициента мощности (PFC), особенно в режиме критической проводимости (CrCM) и непрерывном режиме (CCM).
• Импульсные источники питания (SMPS) для промышленного оборудования, серверов, ПК.
• Приложения для зарядки электромобилей (EV charging).
• Солнечные инверторы.
• Светодиодное освещение (драйверы высокой мощности).

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement mode | Технология CoolMOS™ P7 | | Корпус | TO-263-3 (D²PAK) | Пластиковый, с изолированной или неизолированной подложкой (в зависимости от модификации) | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.261 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 3.2 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.350 Ом (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 2.4 А | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 7.5 А | При T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 30 А | | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 4.5 В | Тип. 3.75 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 20 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера. Низкое значение позволяет быструю коммутацию. | | Входная емкость (C_iss) | ~ 560 пФ (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 136 Вт | При T_C = 25°C (на практике ограничивается тепловым сопротивлением) | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (R_thJC) | 0.92 °C/Вт | | | Диапазон рабочей температуры перехода (T_J) | от -55 до +150 °C | | | Характеристики внутреннего диода | Быстрый восстановительный диод | Макс. время восстановления (t_rr) ~ 120 нс |

Парт-номера (Part Numbers) и модификации

Модель DD261N22K может иметь различные суффиксы, указывающие на особенности поставки, упаковки или изоляции.

• DD261N22KXKSA1 — Стандартная поставка в пластиковой тубе (tube). Неизолированная теплопроводящая подложка (площадка).
• DD261N22KXKSA2 — Поставка на катушке (tape & reel) для автоматизированного монтажа. Неизолированная подложка.
• DD261N22KXKSA3 — Версия с изолированной теплопроводящей подложкой (используется специальная изолирующая пленка). Это позволяет монтировать транзистор на общий радиатор без изолирующих прокладок, что улучшает теплоотвод.

Важно: Буква "K" в середине номера (DD261N22K) указывает на версию с более низким зарядом затвора (Low Qg) по сравнению с базовой версией серии P7, что делает его особенно привлекательным для высокочастотных приложений.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и косвенные аналоги)

При поиске замены или аналога необходимо сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, C_iss) и схему подключения выводов (pinout).

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии CoolMOS P7):

• IPP60R099P7XKSA1 — 600В, 13.5А, R_DS(on) = 0.099 Ом (мощнее, но дороже).
• IPP60R160P7XKSA1 — 600В, 11А, R_DS(on) = 0.160 Ом.
• IPP60R260P7XKSA1 — 600В, 7.5А, R_DS(on) = 0.260 Ом (самый близкий по параметрам аналог в серии P7).
• SPP17N80C3 (из предыдущего поколения CoolMOS C3) — 800В, 7.2А, R_DS(on) = 0.280 Ом. Может рассматриваться как замена в некоторых схемах, но с другими динамическими характеристиками.

2. Аналоги от других производителей (сверяйте даташиты!):

• STMicroelectronics:
  • STF7N60M2 (MDmesh™ M2) — 600В, 7А, R_DS(on) = 0.32 Ом.
  • STW7N60M2 — в корпусе TO-247.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP7N60 — 600В, 7А, R_DS(on) = 0.55 Ом (SuperFET® II).
  • FCPF7N60NT — в корпусе TO-220F.
• Vishay / Siliconix:
  • SUD07N06-26 (E系列) — 600В, 7.1А, R_DS(on) = 0.26 Ом.
• Toshiba:
  • TK7N60W5 (DTMOSⅤ) — 600В, 7А, R_DS(on) = 0.35 Ом.

Важные рекомендации при замене:

1. Всегда сравнивайте даташиты полными, особенно разделы с динамическими характеристиками и безопасной рабочей областью (SOA).
2. Обращайте внимание на распиновку (pinout) корпуса D²PAK, она может отличаться у разных производителей.
3. Учитывайте особенности внутреннего диода (скорость восстановления).
4. CoolMOS P7 от Infineon обладает уникальным балансом параметров, поэтому прямая замена на аналог другого производителя может потребовать тестирования и, возможно, корректировки схемы драйвера.

Для получения самой точной и актуальной информации, включая схемы применения, рекомендуется обратиться к официальному даташиту (Datasheet) на сайте Infineon.