Infineon DD285N04K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Infineon DD285N04K.

Общее описание

Infineon DD285N04K — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он предназначен для применения в схемах управления питанием, где критически важны высокий КПД, низкие потери и надежная работа. Ключевая особенность этой серии — исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)), что минимизирует тепловыделение и повышает общую эффективность системы.

Основные сферы применения:

• DC-DC преобразователи (особенно вторичная сторона — синхронное выпрямение).
• Модули питания материнских плат и графических ускорителей (VRM, VRAM).
• Системы управления батареями (BMS).
• Низковольтные приводы двигателей.
• Коммутация нагрузок в источниках бесперебойного питания (ИБП).

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Технология OptiMOS™ 5 | | Схема корпуса | PG-TDSON-8 | Пластиковый корпус с отводом тепла через нижнюю контактную площадку (теплопад). | | Структура | Single | Один транзистор в корпусе | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 40 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Ток стока (I_D) | 285 А | При температуре корпуса 25°C. Пиковый импульсный ток может быть выше. | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0,85 мОм (макс.) | Ключевой параметр. При V_GS=10 В, I_D=140 А. | | | 1,0 мОм (макс.) | При V_GS=4,5 В, I_D=140 А. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.0 - 3.0 В | Типичное ~2.5 В. | | Заряд затвора (Q_g) | ~120 нКл (тип.) | При V_GS=10 В. Низкое значение упрощает управление. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | ~250 Вт | Зависит от условий теплоотвода. | | Диод "сток-исток" | Есть (интегрированный) | Быстрый внутренний диод (body diode). |

Особенности:

• Высокая стойкость к лавинному пробою: Хорошая надежность в индуктивных цепях.
• Соответствие RoHS: Бессвинцовой исполнение.
• Логический уровень управления: Полностью открывается уже при 4.5 В на затворе, но для минимального R_DS(on) рекомендуется 10 В.

Парт-номера (Part Numbers) и аналогичные модели

Парт-номер DD285N04K — это полное и основное коммерческое обозначение устройства. Его можно встретить в различных форматах записи, но они относятся к одной и той же детали:

• DD285N04K
• DD285N04KXKSA1 (возможно, расширенный код с указанием на упаковку/ленту).

Совместимые / Прямые аналоги от других производителей (Cross-Reference)

Прямых 100% аналогов с идентичными характеристиками и корпусом может не быть, но следующие модели являются очень близкими по ключевым параметрам (V_DSS=40В, низкое R_DS(on), высокий I_D, корпус DSON-8):

• Vishay (Siliconix): SQJ285EP (очень популярный и близкий аналог).
• ON Semiconductor: FDBL86062 (NVMFS5C404N).
• Nexperia: PSMN4R0-80SSE (очень близкие параметры).
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS): AON7400 (или более новые модели серии AON7xxx с аналогичными характеристиками).
• STMicroelectronics: Модели из серии STL (например, STL320N4F7).

Важное примечание по замене: Несмотря на схожесть электрических характеристик, перед заменой обязательно необходимо:

1. Свериться с даташитами обоих компонентов.
2. Проверить разводку выводов (Pinout) корпуса PG-TDSON-8 — она может отличаться у разных производителей!
3. Учесть различия в динамических параметрах (Q_g, C_iss и др.), которые могут повлиять на работу драйвера.
4. Проверить рекомендуемую геометрию посадочного места (footprint) на печатной плате.

Корпус PG-TDSON-8

Корпус TDSON-8 (также часто называемый Power-DSON 8x8 или DSON-8) является ключевым преимуществом для силовых приложений:

• Компактный размер: 8мм x 8мм.
• Эффективный теплоотвод: Большая открытая контактная площадка на нижней стороне (теплопад) обеспечивает отличный отвод тепла на печатную плату, что критически важно для работы с высокими токами.
• Низкая паразитная индуктивность выводов: Благодаря конструкции корпуса.

Итог: Infineon DD285N04K — это высокоэффективный, мощный и компактный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для задач синхронного выпрямения и низковольтной коммутации высокой мощности. Его основными конкурентами являются Vishay SQJ285EP и аналогичные модели от ведущих производителей.