Infineon DD435N40K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon DD435N40K.

Общее описание

Infineon DD435N40K — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P7. Этот транзистор предназначен для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике, где критичны низкие потери на проводимость и переключение, а также высокая надежность.

Ключевая идея технологии CoolMOS™ P7: Достижение рекордно низкого значения RDS(on) (сопротивления сток-исток в открытом состоянии) для своего класса напряжения, что минимизирует потери на нагрев и позволяет увеличить плотность мощности или повысить КПД конечного устройства.

Основные области применения:

• Источники питания (SMPS): серверные, телекоммуникационные, промышленные (топологии PFC, LLC, резонансные преобразователи).
• Солнечные инверторы и преобразователи для возобновляемой энергетики.
• Системы ИБП (источники бесперебойного питания).
• Промышленные приводы и контроллеры двигателей.
• Сварочное оборудование.

Технические характеристики (основные)

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Технология: CoolMOS™ P7
• Корпус: TO-247-3 (стандартный, с тремя выводами)
• Напряжение сток-исток (VDSS): 400 В
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 35 мОм (максимальное значение при VGS = 10 В и TJ = 25°C)
• Максимальный постоянный ток стока (ID): 30 А (при TC = 25°C)
• Максимальный импульсный ток стока (IDM): 120 А
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 3.0 - 5.0 В (тип. 4.0 В)
• Напряжение "затвор-исток" (VGS): ±20 В (макс.)
• Общий заряд затвора (Qg): ~ 60 нКл (типовое, при VGS = 10 В) — низкое значение способствует быстрому переключению.
• Входная емкость (Ciss): ~ 1800 пФ
• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 300 Вт (при TC = 25°C)
• Диод "сток-исток": Интегрированный быстрый обратный диод (Body Diode)
• Рабочая температура перехода (TJ): от -55 °C до +150 °C

Ключевые преимущества:

1. Сверхнизкое RDS(on): 35 мОм обеспечивает минимальные потери на проводимость.
2. Высокая эффективность переключения: Благодаря технологии P7 и низкому Qg.
3. Высокая надежность и стойкость к перегрузкам: Технология P7 известна высокой устойчивостью к динамическим режимам работы.
4. Оптимизированный диод: Низкий заряд обратного восстановления (Qrr) снижает потери в индуктивных цепях.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может поставляться под разными маркировками в зависимости от упаковки, ленты или наличия свинца.

• Основной коммерческий номер: DD435N40K
• Номер для заказа (Ordering Code): DD435N40KXKSA1
  • X в коде может обозначать различные варианты упаковки (например, в тубе, на катушке).
• Маркировка на корпусе: Обычно наносится как DD435N40K.

Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога важно сравнивать ключевые параметры: VDSS, RDS(on), ID, корпус и технологию. Ниже приведены модели от Infineon и конкурентов, которые находятся в том же классе и могут рассматриваться как функциональные аналоги для новых разработок или замены.

От Infineon (технология CoolMOS™ P7 / аналогичные серии):

• IPP60R040P7XKSA1 (600В, 40мОм, TO-220) — на другое напряжение, но та же технология.
• IPP50R190P7S (500В, 190мОм, TO-220) — менее мощный.
• SPP35N60C3 (600В, 35мОм, TO-247) — из предыдущего поколения CoolMOS C3.
• IPA60R040P7S (600В, 40мОм, TO-220 FullPAK) — в другом корпусе.

От других производителей (прямые конкуренты в классе 400-500В, 30-50А, TO-247):

• STMicroelectronics:
  • STW45NM50FD (500В, 39мОм, TO-247) — MDmesh™ M2.
  • STP40N50DM2 (500В, 42мОм, TO-247) — MDmesh™ DM2.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCH47N60F (600В, 47мОм, TO-247) — SuperFET® II.
  • FCP190N60F (600В, 19мОм, TO-247) — более мощный.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP70N15-28 (150В, 28мОм) — на меньшее напряжение.
  • SIR870ADP (500В, 45мОм, TO-247) — технология PowerMOS.
• Toshiba:
  • TK47N60W5 (600В, 47мОм, TO-247) — DTMOS IV.

Важное примечание по замене: Несмотря на схожесть параметров, внутренняя структура (особенно динамические характеристики, паразитные емкости) у разных технологий (CoolMOS, MDmesh, SuperFET) может отличаться. Прямая "пин-ту-пин" замена в уже работающем устройстве возможна, но для новых проектов требуется проверка по графикам в даташитах и, желательно, тестирование в реальной схеме. Всегда обращайтесь к официальным даташитам производителей.