Infineon IDW15E65D2FKSA1

Отличный выбор! Infineon IDW15E65D2FKSA1 — это высокоэффективный силовой полупроводниковый прибор, популярный в импульсных источниках питания. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание

Infineon IDW15E65D2FKSA1 — это суперджект (Super-Junction) MOSFET в корпусе TO-247. Ключевая особенность — интеграция быстрого выпрямительного диода (body diode) с очень высоким быстродействием (Fast Recovery) и низким зарядом восстановления (Qrr).

Это делает его идеальным решением для топологий, где критически важна работа встроенного диода:

• Ключевые приложения: PFC-корректоры коэффициента мощности (особенно в критическом режиме — CrM и переходном режиме — TM), мостовые схемы (например, LLC-резонансные полумосты), инверторы.
• Основное преимущество: Значительно снижает коммутационные потери и электромагнитные помехи (EMI) по сравнению со стандартными MOSFET, благодаря быстрому диоду. Это позволяет увеличить частоту переключения и/или повысить общий КПД системы.

Ключевая маркировка на корпусе: IDW15E65 D2

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип прибора | N-channel Super-Junction MOSFET с быстрым диодом | | | Корпус | TO-247 | | | Структура | CoolMOS™ C7 с Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | Технология Infineon | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 650 В | | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.15 Ом (макс.) @ V_GS=10 В, I_D=7.5 А | | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 15 А @ T_C=100°C | | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 60 А | | | Заряд восстановления диода (Q_rr) | 0.65 мкКл (тип.) | Ключевой параметр! Очень низкое значение для быстрого восстановления. | | Время обратного восстановления диода (t_rr) | 38 нс (тип.) | | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Общий заряд затвора (Q_g) | 45 нКл (тип.) @ V_GS=10 В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 156 Вт @ T_C=25°C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги и кроссплатформенные замены:

Эти модели имеют идентичные или максимально близкие ключевые параметры (650В, ~0.15 Ом, быстрый диод) и могут использоваться для замены в большинстве схем после тщательной проверки по datasheet и на реальной плате.

• Infineon: IPW65R150CFD7 (очень близкий аналог в TO-247 от Infineon).
• STMicroelectronics: STW15N65M5 (серия MDmesh™ M5 с быстрым диодом).
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP15N65 (серия SuperFET® II с быстрым диодом).
• Vishay (Siliconix): SUP15N65-15 (серия E Series с быстрым диодом).

2. Совместимые модели в линейке Infineon (серия CoolMOS C7 с быстрым диодом):

Можно выбирать в зависимости от требуемого тока и сопротивления.

• IDW20E65D2FKSA1 (20А, 0.125 Ом) - более мощный.
• IDW10E65D2FKSA1 (10А, 0.22 Ом) - менее мощный.
• IDW06E65D2FKSA1 (6.7А, 0.45 Ом) - менее мощный.

3. Важное примечание по "обычным" MOSFET:

Не являются прямой заменой без пересчета схемы! Стандартные MOSFET (например, IPP15R125CP, IRFP460, STP20NM65FP) не имеют такого быстрого встроенного диода. Их использование в схемах, рассчитанных на IDW15E65D2, приведет к сильному нагреву, повышенным помехам и возможному выходу из строя из-за высоких потерь при обратном восстановлении.

Рекомендации по замене

1. Приоритет: Используйте прямые аналоги от других производителей (указаны выше) или модель из той же серии Infineon.
2. Обязательно: Сравнивайте даташиты, особенно разделы, касающиеся динамических параметров диода (Q_rr, t_rr), а также емкостей (C_iss, C_oss, C_rss) и характеристик затвора (Q_g, V_GS(th)).
3. Перед пайкой: Проверьте цоколевку (pinout), она стандартна для TO-247 (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но лучше убедиться.
4. В критичных схемах: После замены протестируйте устройство на предмет нагрева и формы сигналов на осциллографе.

Этот компонент часто встречается в блоках питания компьютеров, серверов, промышленного оборудования и сварочных инверторов, где важен высокий КПД.