Infineon IDW30E60FKSA1

Отличный выбор! Infineon IDW30E60FKSA1 — это высокоэффективный силовой MOSFET транзистор в популярном корпусе TO-247, разработанный специально для требовательных приложений.

Описание

IDW30E60FKSA1 — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ SJ (Superjunction) от Infineon. Эта технология обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении. Ключевая особенность — оптимизация для жесткого переключения (hard switching) в таких приложениях, как:

• ИБП (Источники бесперебойного питания)
• Сварочное оборудование
• Телекоммуникационные и серверные блоки питания (SMPS)
• Промышленные силовые преобразователи
• Солнечные инверторы

Транзистор обладает встроенным быстрым выпрямительным диодом (Body Diode) с хорошими характеристиками восстановления, что упрощает схемотехнику и повышает надежность в мостовых и инверторных схемах.

Основные преимущества:

• Высокая эффективность: Низкие потери на проводимость и переключение.
• Надежность: Высокая стойкость к перегрузкам и качественная конструкция.
• Упрощение системы: Наличие встроенного диода.
• Универсальность: Подходит для широкого круга мощных приложений.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (CoolMOS™ SJ) | | | Корпус | TO-247 | Стандартный 3-выводной корпус для силовых применений. | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (I_D) | 30 А (при 25°C) | Максимальный ток в открытом состоянии. | | Импульсный ток стока (I_DM) | 120 А | Пиковый кратковременный ток. | | Сопротивление канала (R_DS(on)) | 0.045 Ом (макс.) | При V_GS=10 В, I_D=15 А. Ключевой параметр для потерь на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 85 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера затвора. | | Встроенный диод | Есть | Параметры диода: I_SD = 30 А, t_rr ~ 110 нс (тип.) | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | При температуре корпуса 25°C. |

Парт-номера (Аналоги и кросс-ссылки)

Этот компонент может встречаться под разными обозначениями у дистрибьюторов или в спецификациях. Полное название часто указывается как IDW30E60FKSA1.

Прямые аналоги от Infineon (с небольшими вариациями в параметрах или корпусе):

• SPW30N60S5 — очень близкий аналог от Infineon в корпусе TO-247, часто используется как полный аналог.
• IPW30R60CFD / IPW30R60CFDSA1 — аналоги из другой линейки CoolMOS, с сопоставимыми характеристиками.
• SPW30N60S5FKSA1 — практически идентичное изделие.

Аналоги от других производителей (требуют проверки datasheet):

• STMicroelectronics: STW30N60M2, STP30N60M2
• ON Semiconductor: FCP30N60, FCH30N60
• IXYS: IXFH30N60
• Vishay: SUP60N06-18

Важно: При замене всегда необходимо сверяться с даташитом, особенно обращая внимание на V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g и динамические характеристики встроенного диода.

Совместимые модели (для замены в схемах)

При поиске замены для IDW30E60FKSA1 ищите компоненты со следующими ключевыми параметрами:

• Корпус: TO-247 (или TO-247-3).
• Напряжение: 600В.
• Ток: 25А - 35А.
• R_DS(on): около 0.04 - 0.06 Ом.
• Технология: Superjunction (SJ) MOSFET.

Совместимые / заменяемые модели (наиболее вероятные кандидаты):

1. SPW30N60S5 (Infineon) — основной рекомендуемый аналог.
2. IPW30R60CFD (Infineon)
3. STW30N60M2 (STMicroelectronics)
4. FCP30N60 (ON Semiconductor)
5. IXFH30N60 (IXYS)

Рекомендация по замене:

1. Приоритет №1: Использовать SPW30N60S5 или точный оригинал IDW30E60FKSA1.
2. Приоритет №2: Выбрать аналог от другого производителя из списка выше, но обязательно:
   • Скачать даташиты обоих компонентов (оригинала и аналога).
   • Сравнить ключевые параметры, особенно в разделе "Typical Performance Characteristics" (переходные процессы, характеристики диода).
   • Убедиться, что новая деталь соответствует или превосходит оригинал по всем критичным для вашей схемы параметрам.
   • Проверить цоколевку (pinout), которая для TO-247 обычно стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source).

Этот транзистор является надежным и популярным решением для построения мощных и эффективных силовых каскадов.