Infineon IDW30G65C5

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon IDW30G65C5.

Общее описание

Infineon IDW30G65C5 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, оснащенный встроенным быстрым диодом (антипараллельный диод, "Co-Pack Diode").

Это ключевой элемент силовой электроники, разработанный для эффективного и надежного переключения высоких напряжений и токов. Его основное применение — инверторы, где требуется частое и быстрое переключение, например:

• Сварочные инверторы
• Инверторы для солнечных батарей
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Приводы двигателей (частотные преобразователи)

Ключевая особенность этой серии — технология TRENCHSTOP™ 5 от Infineon, которая обеспечивает оптимальный баланс между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой скоростью переключения, что приводит к снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД системы.

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение / Условия | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES | 650 В | Максимальное рабочее напряжение. | | Непрерывный ток коллектора | I_C (25°C) | 60 А | При температуре корпуса 25°C. | | Непрерывный ток коллектора | I_C (100°C) | 30 А | При температуре корпуса 100°C (более реалистичный параметр). | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 120 А | Максимальный кратковременный ток. | | Напряжение насыщения | V_CE(sat) | 1.55 В (тип.) | При I_C=30A, V_GE=15В. Показывает потери в открытом состоянии. | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 4.3 В (тип.) | Напряжение, при котором IGBT начинает открываться. | | Энергия включения | E_on | 4.8 мДж (тип.) | При I_C=30A, V_CE=400В. Характеризует динамические потери. | | Энергия выключения | E_off | 2.0 мДж (тип.) | При I_C=30A, V_CE=400В. Характеризует динамические потери. | | Скорость нарастания напряжения | dv/dt | 20 кВ/мкс | Устойчивость к скачкам напряжения при выключении. | | Прямое напряжение диода | V_F | 1.7 В (тип.) | При I_F=30A. Характеристика встроенного обратного диода. | | Время восстановления диода | t_rr | 55 нс (тип.) | Скорость восстановления встроенного диода. | | Макс. температура перехода | T_vj | +175 °C | Абсолютный максимум. | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.25 К/Вт | Чем меньше, тем лучше теплоотвод. | | Корпус | - | TO-247 | Стандартный 3-выводной корпус для силовых компонентов. |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот транзистор может маркироваться и поставляться в различных вариантах, также существуют прямые аналоги от других производителей.

1. Прямые парт-номера Infineon (аналоги в других корпусах или с отбором):

• IW30N65C5 — полный и прямой аналог в корпусе TO-247. Это одно и то же устройство, просто в другой системе обозначений Infineon. Встречается чаще.
• IKW30N65C5 — аналог в корпусе TO-247 Plus (имеет дополнительный отверстие для крепления и немного улучшенное тепловое сопротивление).
• IKW30N65CSXKSA1 — возможно, вариант для автоматизированной сборки (tape & reel).

Важно: IDW30G65C5 и IW30N65C5 — это взаимозаменяемые модели. При поиске или замене можно использовать оба номера.

2. Совместимые / Аналогичные модели от Infineon (с близкими параметрами):

• IKW30N65EH5 — транзистор серии TRENCHSTOP™ 5 Easy с еще более низким V_CE(sat) (около 1.2В), что снижает conduction losses. Прямой и часто рекомендуемый аналог для модернизации.
• IKW30N65ET7 — модель из более новой серии TRENCHSTOP™ 7, обладает лучшими динамическими характеристиками.
• IKW30T120 — IGBT на 1200В, если требуется более высокое рабочее напряжение.
• IRGP30B60PD1 (от International Rectifier, ныне Infineon) — устаревший аналог, но может встречаться в старых схемах.

3. Аналоги от других производителей (функционально совместимые):

При поиске аналога необходимо сверять ключевые параметры: V_CES=650В, I_C≈30-40А, корпус TO-247/TO-3P, наличие встроенного диода.

• FGH30N65SMD (от ON Semiconductor)
• STGW30NC60WD (от STMicroelectronics)
• H30R1602 (от Fairchild/ON Semi)
• NGTB30N65S3G (от ON Semiconductor)

Ключевые выводы для замены:

1. Прямая и полная замена: IW30N65C5.
2. Улучшенная замена (меньшие потери): IKW30N65EH5.
3. При замене аналогом от другого производителя обязательно проверяйте распиновку (pinout), так как она может отличаться, и характеристики динамических потерь (E_on/E_off), чтобы убедиться в корректной работе драйвера и системы охлаждения.
4. Всегда обращайтесь к официальным даташитам (datasheet) перед заменой.