Infineon IGB30N60H3ATMA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для транзистора Infineon IGB30N60H3ATMA1.

Описание

IGB30N60H3ATMA1 — это N-канальный IGBT-транзистор с быстрым и мягким восстановлением внутреннего диода (TRR — Soft & Fast Diode), разработанный для высокоэффективных и надежных силовых приложений.

Ключевые особенности и применение:

• Технология TrenchStop 3: Последняя технология Infineon, обеспечивающая низкие потери проводимости (Vce(sat)) и низкие коммутационные потери, что приводит к высокой общей эффективности.
• Ультра-мягкий и быстрый диод: Это критически важно для приложений с обратным диодом (например, инверторы, корректоры коэффициента мощности), так как значительно снижает выбросы напряжения и потери при переключении, уменьшает электромагнитные помехи (EMI) и повышает надежность системы.
• Высокая стойкость к короткому замыканию (SCSOA): 5 мкс при 400 В, что обеспечивает надежную защиту в аварийных режимах.
• Плавная характеристика переключения: Минимизирует перенапряжения, что упрощает проектирование снабберных цепей.
• Основные области применения: Силовые инверторы (например, для сервоприводов, промышленных двигателей), сварочное оборудование, источники бесперебойного питания (ИБП), корректоры коэффициента мощности (PFC), импульсные источники питания (SMPS) высокой мощности.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Ключевые электрические параметры | | | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В | Максимальное напряжение отключения | | Коллекторный ток (I_C) @ 25°C | 60 А | Максимальный постоянный ток | | Коллекторный ток (I_C) @ 100°C | 30 А | Указано в названии модели (IGB30...) | | Ток импульсный (I_CM) | 120 А | Максимальный пиковый ток | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (V_CE(sat)) | 1.65 В (тип.) | При I_C = 30A, V_GE = 15В | | Падение напряжения на диоде (V_F) | 1.7 В (тип.) | При I_F = 30A | | Параметры переключения | | | | Энергия включения (E_on) | 1.5 мДж (тип.) | | | Энергия выключения (E_off) | 0.45 мДж (тип.) | | | Время обратного восстановления (t_rr) | 55 нс (тип.) | Характеристика внутреннего диода | | Тепловые параметры | | | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | На изоляционной подложке | | Сопротивление переход-корпус (R_thJC) | 0.42 °C/Вт | | | Максимальная температура перехода (T_vj) | +175 °C | | | Управление (затвор) | | | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | Максимальное (рабочее обычно ±15В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4.0 - 6.0 В | | | Заряд затвора (Q_g) | 120 нКл (тип.) | При V_GE = 15В | | Корпус | TO-247 | 3 вывода, изолированный (с изоляционной прокладкой) |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Прямые аналоги и замены от Infineon (в том же корпусе TO-247):

Эти модели обладают схожими или идентичными характеристиками и часто взаимозаменяемы:

• IGB30N60H3 (базовая версия, не изолированный корпус)
• IGB30N60H3ATMA1 (точное обозначение, "ATMA1" часто указывает на упаковку/ленту)
• IKW30N60H3 — Аналогичный IGBT из другой линейки Infineon (H3 технология). Всегда сверяйтесь с даташитом для проверки.
• IKW30N60T — Модель с более стандартным диодом (не такой мягкий), может быть экономичной альтернативой, если характеристики диода не критичны.

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей (аналоги по ключевым параметрам):

При поиске аналога необходимо сравнивать: V_CES (600В), I_C (30-60А), технологию быстрого/мягкого диода, корпус TO-247 и параметры переключения.

• FGH30N60SMD (ON Semiconductor) — IGBT с быстрым диодом.
• STGW30H60DF (STMicroelectronics) — IGBT со встроенным быстрым диодом.
• APT30GP60B2 (Microsemi) — Аналог с сопоставимыми характеристиками.
• RJH30C07DPP (Mitsubishi) — Модуль в корпусе TO-247, но требует проверки распиновки.
• Серии GT30QR21 (Toshiba) — IGBT с ультра-мягким восстановлением.

Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитами (Datasheet). Даже у моделей с похожими номерами могут быть различия в характеристиках диода, заряде затвора (Q_g), задержках переключения и внутренней индуктивности.
2. Технология H3 (Soft & Fast Diode) — ключевое преимущество IGB30N60H3ATMA1. При замене на модель без этой технологии (например, с обычным диодом) может потребоваться пересмотр схемы снаббера и мер по подавлению EMI.
3. Корпус и монтаж: Убедитесь, что распиновка (pinout) и рекомендации по монтажу (момент затяжки, изоляция) идентичны.
4. Проверьте параметры драйвера. Разный заряд затвора (Q_g) может потребовать корректировки драйвера управления.

Вывод: IGB30N60H3ATMA1 — это высококачественный IGBT последнего поколения, оптимизированный для приложений, где важны низкие потери, надежность и низкий уровень помех. При замене рекомендуется в первую очередь рассматривать прямые аналоги от Infineon с маркировкой H3, а при выборе аналога от другого производителя проводить тщательный сравнительный анализ по даташитам.