Infineon IGW15N120H3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для IGBT-транзистора Infineon IGW15N120H3.

Описание

Infineon IGW15N120H3 — это дискретный IGBT-транзистор третьего поколения (TrenchStop 3) в корпусе TO-247, оптимизированный для работы в ключевом режиме с высокой частотой переключения. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость, простое управление) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии при высоких токах).

Ключевые особенности и применение:

• Технология TrenchStop 3: Обеспечивает низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)), что приводит к меньшим коммутационным потерям и повышенному КПД.
• Ультрамягкий и быстрый диод обратного восстановления (Co-Pack Diode): В корпус встроен антипараллельный диод с отличными динамическими характеристиками, что критически важно для инверторных и мостовых схем, где необходим обратный путь для тока (например, в сварочных инверторах, частотных преобразователях).
• Высокое напряжение: 1200В позволяет использовать в сетях 380В и 400В с достаточным запасом для защиты от выбросов напряжения.
• Основные области применения: Сварочное оборудование, частотные преобразователи (ЧПУ), источники бесперебойного питания (ИБП), системы плавного пуска, индукционный нагрев.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный IGBT + антипараллельный диод | | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (Ic) при 25°C | 30 А | | | Ток коллектора (Ic) при 100°C | 15 А | Указано в названии модели | | Импульсный ток коллектора (Icm) | 60 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | 2.0 В (тип.) | При Ic=15A, Vge=15В | | Падение напряжения на диоде (Vf) | 1.7 В (тип.) | При If=15A | | Энергия включения (Eon) | 1.0 мДж (тип.) | | | Энергия выключения (Eoff) | 0.35 мДж (тип.) | | | Заряд затвора (Qg) | 63 нКл (тип.) | Влияет на требования к драйверу | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная +150°C | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0.65 °C/Вт | |

Парт-номера и аналоги

1. Прямые парт-номера (полные или близкие аналоги от Infineon):

• IGW15N120H3 (основной номер, часто с суффиксами для упаковки, напр. IGW15N120H3XKSA1).
• IGW15N120H3FKSA1 — вариант для автоматизированной сборки (аммо-пак).
• IKW15N120H3 — очень важный аналог в корпусе TO-247 Plus (с изолированным фланцем). Электрически идентичен, но корпус имеет улучшенную изоляцию (2500 В) и лучшее тепловое сопротивление. Часто является рекомендуемой заменой для новых разработок.
• Более новая/старая ревизия в той же линейке: IGW15N120T (TrenchStop 4, более современный, с лучшими параметрами).

2. Совместимые модели / Аналоги от других производителей (с проверкой распиновки и характеристик!):

При замене обязательно сверяться с даташитом, особенно параметры Vce(sat), Qg и динамические характеристики.

• FGA15N120ANTD / FGA15N120ANTU (Fairchild/ON Semiconductor) — классический прямой аналог, широко использовался в сварочных инверторах.
• H15N120R3 / H15N120R2 (STMicroelectronics) — аналогичная серия.
• GT15N120 (серии от разных производителей, например, Sino).
• IRG4PH30UD (International Rectifier/Infineon) — старый, но популярный аналог на 15А, 1200В.
• SGW15N120 (STMicroelectronics) — аналог в корпусе TO-247.
• K15N120 (серия от многих азиатских производителей).

Важные замечания по замене и совместимости

1. Корпус TO-247 vs TO-247 Plus: IKW15N120H3 (Plus) является функциональным аналогом, но имеет изолированный фланец. Это важно при монтаже на общий радиатор без изоляционных прокладок. При замене IGW на IKW может потребоваться пересмотр крепления и изоляции.
2. Параметры драйвера: Разные модели, даже с одинаковыми напряжениями и токами, могут иметь разный заряд затвора (Qg) и рекомендуемое напряжение на затворе (Vge). Это влияет на схему управления. Для IGW15N120H3 стандартное Vge = ±15-20В.
3. Характеристики встроенного диода: Ключевое отличие между поколениями IGBT — скорость и мягкость обратного восстановления диода. Замена на более старую модель (например, IRG4PH30UD) может привести к увеличению потерь и помех.
4. Проверка в схеме: Наиболее безопасный путь — использовать оригинальный IGW15N120H3 или его версию в корпусе Plus (IKW15N120H3). Если их нет, в первую очередь рассматривать аналоги от крупных производителей (Infineon, ST, ON Semi) с максимально близкими параметрами из даташита.

Рекомендация: При ремонте оборудования, где стоял IGW15N120H3, оптимальной заменой является IKW15N120H3 (TO-247 Plus) как более современный и надежный вариант с улучшенной изоляцией.