Infineon IGW25T120

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon IGW25T120.

Общее описание

Infineon IGW25T120 — это дискретный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-247, предназначенный для мощных и высокочастотных ключевых применений. Это устройство третьего поколения (Generation 3), которое сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения и простое управление по напряжению) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии при высоких токах).

Ключевая особенность этой серии — встроенный быстрый обратный диод (антипараллельный диод), что делает его идеальным решением для мостовых схем, таких как инверторы, частотные преобразователи и источники сварочного тока. Модель оптимизирована для работы на частотах выше стандартных 20 кГц, вплоть до 40-50 кГц, с низкими коммутационными потерями.

Основные области применения:

• Сварочные инверторы
• Частотные преобразователи (ПЧ, инверторы)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями
• Индукционный нагрев

Технические характеристики (кратко)

• Напряжение коллектор-эмиттер: V_CES = 1200 В
• Номинальный ток коллектора: I_C (25°C) = 46 А / I_C (100°C) = 25 А (номинал часто указывается для 25°C, но расчет ведется от тока при 100°C)
• Ток встроенного диода: I_F = 25 А
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2.15 В (тип., при I_C=25A, V_GE=15В)
• Напряжение управления затвором (V_GE): ±20 В (макс.) / Рекомендуемое: +15В / -5...-15В
• Энергия включения/выключения (E_on / E_off): Низкие значения, оптимизированы для частотной работы.
• Запас по безопасной работе (SOA): Прямоугольная область (RBSOA), что упрощает проектирование защитных цепей.
• Корпус: TO-247 (также известный как TO-3PF), изолированный или неизолированный вариант (в зависимости от маркировки).

Полные технические характеристики (Datasheet Parameters)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1200 В | - | | Ток коллектора (постоянный) | I_C | 25 А | При T_c = 100°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CP | 50 А | - | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | макс. 2.7 В | I_C=25A, V_GE=15В | | Напряжение затвор-эмиттер | V_GE | ±20 В (макс.) | - | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 4.5 - 6.5 В | I_C=250мА, V_CE=5В | | Входная емкость | C_ies | ~1800 пФ | V_GE=0В, V_CE=25В, f=1МГц | | Полный заряд затвора | Q_g | ~110 нКл | V_GE=0-15В, I_C=25A, V_CC=600В | | Энергия включения | E_on | ~1.2 мДж | I_C=25A, V_CC=600В, R_G=5.1 Ом | | Энергия выключения | E_off | ~0.6 мДж | I_C=25A, V_CC=600В, R_G=5.1 Ом | | Параметры встроенного диода | | | | | Непрерывный прямой ток | I_F | 25 А | - | | Прямое напряжение диода | V_F | макс. 3.0 В | I_F=25A, V_GE=0В | | Время обратного восстановления | t_rr | ~100 нс | I_F=25A, di/dt=100 A/мкс | | Тепловые параметры | | | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.45 °C/Вт | - | | Максимальная температура перехода | T_j | +150 °C | - | | Корпус | - | TO-247 | -

Парт-номера (Part Numbers) и варианты

Оригинальные обозначения от Infineon могут иметь суффиксы, указывающие на особенности:

• IGW25T120 — базовая модель.
• IGW25T120FKSA1 — один из распространенных полных парт-номеров. Суффиксы могут указывать на тип упаковки (на ленте, в тубе), версию изолированного корпуса или производственную ревизию.
• IGW25T120_FKSA1 — аналогично.
• Важно: HGTG20N120BND от Fairchild (ON Semiconductor) — это аналогичное, но не идентичное устройство. Требуется проверка распиновки и характеристик.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены или аналога важно сверяться с datasheet, особенно по распиновке (pinout), заряду затвора (Q_g) и параметрам встроенного диода.

1. Прямые аналоги (с встроенным диодом, 1200В, ~25А, TO-247):

• IRG4PH50UD (International Rectifier / Infineon) — очень популярный аналог, часто используется взаимозаменяемо, но также требует проверки.
• HGTG20N120BND (Fairchild / ON Semi) — см. примечание выше.
• H20R1202 (STMicroelectronics) — серия "H-серия", высокочастотный.
• FGH25T120SMD (Fairchild / ON Semi) — серия "SMD", оптимизирована для снижения потерь.
• FGA25N120ANTD (Fairchild / ON Semi).

2. Функциональные аналоги (с диодом, близкие по току):

• IGW30T120 (Infineon) — 30А версия.
• IGW20N120H3 (Infineon) — 20А версия, Gen.3.
• IRG4PC30UD (IR) — 600В, 23А (для сетей 220В).
• STGW30H120DF (STMicroelectronics) — 30А, с диодом.

3. Важные замечания по совместимости:

• Распиновка (Pinout): Большинство аналогов в корпусе TO-247 имеют стандартную распиновку: 1-Затвор, 2-Коллектор, 3-Эмиттер. Однако всегда нужно проверять в даташите конкретной модели.
• Характеристики диода: Параметры встроенного диода (V_F, t_rr) могут отличаться и критичны для работы в инверторах.
• Динамические параметры: Q_g, E_on, E_off влияют на нагрев драйвера и общие коммутационные потери. Замена на аналог с другими значениями может потребовать корректировки драйверной цепи (резистора в затворе R_G).

Рекомендация: При замене IGW25T120 лучшим прямым аналогом обычно считается IRG4PH50UD, но перед установкой обязательна проверка принципиальной схемы и даташитов на соответствие ключевых параметров в вашем конкретном устройстве.