Infineon IHW30N110R3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon IHW30N110R3.

Описание

IHW30N110R3 — это N-канальный IGBT-транзистор с ультратонким полевым затвором и технологией обратного диода (TRENCHSTOP™ 5) от Infineon Technologies. Он разработан для применений, требующих высокой эффективности, надежности и плотности мощности, особенно в области индукционного нагрева и высокочастотных инверторов.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология TRENCHSTOP™ 5: Обеспечивает низкие потери проводимости (Vce(on)) и коммутации, что приводит к высокой энергоэффективности и снижению тепловыделения.
• Встроенный быстрый диод (RFC): Диод с мягким и быстрым восстановлением интегрирован в один кристалл с IGBT. Это упрощает схему, улучшает надежность и оптимизировано для работы в режиме жесткой коммутации (например, в резонансных схемах индукционного нагрева).
• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 1100 В. Позволяет работать в сетях 400В и выдерживать выбросы напряжения.
• Высокая рабочая частота: Благодаря оптимизированной технологии, транзистор эффективно работает на частотах от 20 до 100 кГц, что типично для современных индукционных плит и сварочных инверторов.
• Низкое насыщенное напряжение Vce(on): 1.85 В (тип.) при номинальном токе, что минимизирует потери на проводимость.
• Корпус TO-247: Обеспечивает хороший отвод тепла и удобство монтажа.

Основная область применения:

• Системы индукционного нагрева (бытовые и промышленные индукционные плиты, варочные поверхности).
• Высокочастотные инверторы и источники питания.
• Сварочное оборудование.

Технические характеристики (основные параметры при Tj=25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1100 В | | | Постоянный ток коллектора | I_C | 30 А | при T_c=100°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 60 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1.85 В (тип.) / 2.25 В (макс.) | I_C=30А, V_GE=15В | | Напряжение отпирания затвора | V_GE(th) | 4.3 В (тип.) / 6.0 В (макс.) | V_CE=V_GE, I_C=250мА | | Общий заряд затвора | Q_g | 90 нКл (тип.) | V_CC=600В, I_C=30А | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | 20 нс / 230 нс (тип.) | | | Максимальная температура перехода | T_vj | +175 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | 0.65 К/Вт | | | Встроенный диод: прямое напряжение | V_F | 1.7 В (тип.) / 2.2 В (макс.) | I_F=30А | | Встроенный диод: время обратного восстановления | t_rr | 65 нс (тип.) | |

Парт-номера и совместимые модели

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры, но и особенности встроенного диода и динамические характеристики, критичные для резонансных схем.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• IHW30N110R3 (основной номер, корпус TO-247).
• IHW30N110R3XKSA1 — это, как правило, полный порядковый номер для заказа, включающий информацию о упаковке (катушка/лоток).

Функционально совместимые и аналогичные модели от других производителей:

Совпадение по всем параметрам на 100% встречается редко, но следующие модели имеют схожие характеристики и часто используются в аналогичных применениях.

1. STMicroelectronics:

   • STGW30H110DF3 — IGBT с быстрым диодом, 1100В, 30А, TO-247. Один из самых популярных аналогов.
   • STGW30H110DF2 (предыдущее поколение).

2. Fuji Electric:

   • 2MBI200UXA-110-50 — это модуль, но для дискретных решений можно искать аналогичные параметры в их линейке.

3. ON Semiconductor (Fairchild):

   • FGH30N110LSD — N-канальный IGBT, 1100В, 30А, с быстрым диодом, TO-247.

4. Модели, которые часто встречаются в схемах индукционных плит и могут быть условно совместимы по схемотехнике (но требуют проверки по динамике и диоду!):

   • IHW20N120R3 / IHW20N120R5 — младшие братья, на 20А, 1200В. Могут работать в менее мощных каскадах.
   • IHW40N110R3 — старшая модель на 40А.
   • H20R1203 (часто от небрендированных производителей, параметры могут "плавать").

Важные замечания по совместимости и замене:

• Ключевой параметр — диод: В схемах индукционного нагрева (резонансный полумост) характеристики встроенного обратного диода (t_rr, V_F) критически важны. Замена на модель с более медленным диодом может привести к перегреву и выходу из строя.
• Проверьте управление: Убедитесь, что драйвер затвора обеспечивает достаточный ток для заряда/разряда затвора (Q_g) выбранного аналога.
• Тепловой режим: При замене на модель с большим R_th(j-c) необходимо проверить, не будет ли перегрев превышать допустимый.
• Распиновка: Все перечисленные аналоги в корпусе TO-247 имеют стандартную распиновку (1-Gate, 2-Collector, 3-Emitter).

Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами обеих моделей, уделяя особое внимание разделам Safe Operating Area (SOA) и характеристикам диода. В ремонте STGW30H110DF3 часто является наиболее безопасной и доступной прямой заменой для IHW30N110R3.