Infineon IKA08N65F5

Infineon IKA08N65F5 - Описание и технические характеристики

IKA08N65F5 — это N-канальный MOSFET транзистор с технологией CoolMOS™ P7, разработанный компанией Infineon Technologies. Он принадлежит к семейству суперджекшн (Super-Junction) MOSFET, оптимизированных для высокой эффективности и надежности в импульсных источниках питания (SMPS) и других силовых приложениях.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ P7: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) в сочетании с отличными показателями переключения, что минимизирует потери на проводимость и коммутацию.
• Высокое напряжение сток-исток: 650 В — делает его подходящим для сетевых приложений (входное напряжение 85-265 В AC).
• Низкий заряд затвора (Qg): Позволяет снизить потери на управление и упростить драйвер затвора.
• Высокая стойкость к лавинным процессам (100% тестирование): Гарантирует надежность при работе в жестких условиях и скачках напряжения.
• Оптимизирован для жесткого переключения (Hard Switching): Идеален для топологий: Flyback, Forward, Half-Bridge, PFC (корректор коэффициента мощности).
• Соответствие стандартам RoHS и Halogen-Free: Экологически безопасный компонент.

Основные технические характеристики (ТТХ):

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Технология | CoolMOS™ P7 (Super-Junction) | — | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 650 В | — | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0,65 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 4 А | | Постоянный ток стока (I_D) | 7,6 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока (I_DM) | 30 А | — | | Мощность рассеяния (P_tot) | 156 Вт | При T_C = 25°C | | Заряд затвора (Q_g) (тип.) | 28 нКл | При V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3,0 - 5,0 В | — | | Корпус | TO-220 | Изолированный (IKA) / Неизолированный (IKZ) вариант |

Парт-номера (Part Numbers) и варианты корпусов

Одна и та же кристалл-технология может поставляться в разных корпусах. Основные варианты для этой серии:

• IKA08N65F5 — TO-220 корпус, изолированный (с пластиковой ножкой для крепления без изолирующей прокладки, но рекомендуется проверять спецификацию на пробойное напряжение).
• IKZ08N65F5 — TO-220 корпус, неизолированный (металлическая ножка имеет электрический контакт с подложкой кристалла).
• IPZ08N65F5 — TO-220 FullPAK (полностью пластиковый корпус) — обеспечивает максимальную изоляцию.
• IPP08N65F5 — TO-220 FullPAK (аналогично IPZ).

Важно: Буквы после цифрового кода (08N65F5) указывают на корпус и некоторые особенности. "08" — номинальный ток (примерно 8А), "N65" — N-канальный 650В, "F5" — поколение и ревизия технологии.

Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога необходимо сравнивать ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g, корпус и динамические характеристики.

Аналоги от Infineon (другие серии/поколения):

• SPP08N65C3 (более старое поколение CoolMOS C3)
• IPA08N65C3 (в корпусе TO-220 FullPAK)
• IKA08N65W5 (из серии CoolMOS W5, с улучшенным E_oss для мягкого переключения)
• STP8N65M5 (от STMicroelectronics, серия MDmesh™ M5)
• FCP8N65 (от Fairchild/ON Semi, серия SuperFET®)
• 8N65 (общий тип от многих китайских производителей, но параметры могут отличаться)

Прямые аналоги и конкуренты от других производителей:

• STMicroelectronics: STP8N65M5, STW8N65M5
• ON Semiconductor: FCP8N65, FDP8N65NZ
• Vishay/Siliconix: SiHF8N65E
• Power Integration (в составе интегральных решений для маломощных БП)

Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами обоих компонентов, особенно разделы, касающиеся динамических характеристик (заряды C_oss, Q_gd), параметров внутреннего диода и графиков зависимостей. Это критически важно для сохранения эффективности и надежности схемы.