Infineon IPA60R099P6XKSA1

Отличный выбор! Infineon IPA60R099P6XKSA1 — это высоковольный силовой MOSFET транзистор, один из флагманов линейки CoolMOS™ P6 от Infineon, известной своей высокой эффективностью.

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание

IPA60R099P6XKSA1 — это N-канальный MOSFET на 600 В, использующий супер junction технологию CoolMOS™ P6. Ключевая особенность этой серии — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) в сочетании с выдающимися динамическими характеристиками.

Основное назначение:

• Импульсные источники питания (SMPS): Особенно для топологий с жестким и резонансным переключением (PFC, LLC-резонансные преобразователи, двухтактные схемы).
• Преобразователи для промышленного применения: Системы ИБП, серверные блоки питания, сварочное оборудование.
• Приложения с высокой частотой переключения: Благодаря низким динамическим потерям (Eoss, Qg) позволяет увеличивать частоту, уменьшая габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).

Ключевые преимущества серии P6:

• Рекордно низкое Rds(on): 0.099 Ом при 600В.
• Высокая эффективность переключения: Оптимизированные внутренние диоды и низкие заряды (Qg, Qgd).
• Высокая надежность и устойчивость: Высокая стойкость к лавинным процессам (100% тестирование), устойчивость к динамическому включению (dv/dt).
• Соответствие стандартам: Отвечает требованиям промышленных и потребительских стандартов.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET, Enhancement Mode | | | Технология | CoolMOS™ P6 (SuperJunction) | | | Корпус | TO-220 | Изолированный (FullPAK) или нет — уточняйте в даташите для конкретного суффикса. | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 600 В | Максимальное постоянное напряжение. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.099 Ом (макс.) | Ключевой параметр! При Vgs=10 В, Id=14.7 А, Tj=25°C. | | Ток стока (Id) | 11 А (непрерывный) | При Tк=25°C. | | Ток стока импульсный (Id_pulse) | 44 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~36 нКл (тип.) | При Vgs=10 В, Vds=400 В. Важно для расчета драйвера. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 4.5 В | | | Макс. напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±30 В | | | Энергия переключения (Eoss) | ~24 мкДж (тип.) | Низкое значение, снижает потери при включении. | | Параметры внутреннего диода: | | | | * Время восстановления (trr)* | ~80 нс (тип.) | Быстрый встроенный body-диод. | | * Заряд восстановления (Qrr)* | ~1.1 мкКл (тип.) | | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура. | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | ~1.4 К/Вт | Зависит от монтажа и изоляции. |

Для проектирования всегда используйте официальный даташит (datasheet).

Парт-номера (Part Numbers) и варианты корпуса

Одна и та же кристалл-матрица (чип) поставляется в разных корпусах. Основные варианты для этого Rds(on) (0.099 Ом):

1. IPA60R099P6XKSA1 — TO-220 (стандартный корпус).
2. IPD60R099P6XKSA1 — D²PAK (TO-263) (SMD-корпус для поверхностного монтажа с высокой рассеиваемой мощностью).
3. IPW60R099P6XKSA1 — TO-247 (корпус с более высокими мощностными и тепловыми возможностями).

Примечание: Буква после префикса (IPA, IPD, IPW) указывает на тип корпуса. Цифровая часть 60R099P6 является основной и обозначает: 600В, Rds(on) ≈ 0.099 Ом, серия P6.

Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

При поиске аналога или замены нужно ориентироваться на основные параметры: Vds=600В, Rds(on) ~0.1 Ом, корпус, ток Id.

Аналоги от других производителей (прямые или близкие аналоги):

• STMicroelectronics:
  • STP11NK60Z (или FD) — MOSFET серии MDmesh™ M2, 600В, 0.12 Ом, 10.5А, TO-220. Близкий по параметрам.
  • STW11NK60Z — аналог в корпусе TO-247.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP11N60 — SuperFET® II MOSFET, 600В, 0.11 Ом, 11А, TO-220. Очень популярный аналог.
  • FCH11N60F — аналог в корпусе TO-220F (изолированный).
• Vishay / Siliconix:
  • SUD11N06-60L (серия E系列) — 600В, 0.105 Ом, 11А, TO-220.
• Toshiba:
  • TK11A60W — DT MOS IV, 600В, 0.12 Ом, 11А, TO-220.

Совместимые модели внутри линейки Infineon CoolMOS™:

Если нужна замена с небольшим запасом по параметрам или другой корпус, можно смотреть на соседние модели в той же серии P6 или предыдущей P7:

• IPA60R140P6 (0.140 Ом) — если допустимо немного большее сопротивление.
• IPA60R065P6 (0.065 Ом) — если нужен более мощный транзистор (но дороже).
• IPA60R125P7 (0.125 Ом) — модель из предыдущего поколения CoolMOS P7 (более доступная по цене, но с чуть худшими динамическими характеристиками).

Важное предупреждение при замене:

1. Всегда проверяйте распиновку (pinout) корпуса, особенно при переходе между разными производителями или типами корпусов (например, TO-220F vs TO-220).
2. Внимание на динамические параметры: Прямая замена по Vds, Id и Rds(on) не гарантирует одинакового поведения на высокой частоте. Заряды (Qg, Qgd) и параметры внутреннего диода (Qrr, trr) критически важны для работы преобразователя. Сравнивайте графики в даташитах.
3. Проверьте схему драйвера: Убедитесь, что ваш драйвер способен обеспечить достаточный ток для заряда/разряда затвора выбранного транзистора (исходя из Qg и требуемого времени переключения).

Рекомендация: Для критичных по эффективности применений (например, LLC-резонансный преобразователь) предпочтительнее использовать оригинальный IPA60R099P6XKSA1 или его прямые аналоги в корпусах IPD/IPW, так как технология P6 оптимизирована именно для таких задач. Для более простых схем подойдут и аналоги от ST или ON Semi.