Infineon IPA60R160P6XKSA1

Infineon IPA60R160P6XKSA1
Артикул: 563903

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPA60R160P6XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPA60R160P6XKSA1.

Общее описание

IPA60R160P6XKSA1 — это N-канальный MOSFET транзитор в корпусе TO-220, использующий передовую технологию CoolMOS™ P6 от Infineon. Эта серия разработана для обеспечения исключительного баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокими показателями эффективности переключений. Ключевая особенность — высочайшая крест-отраслевая надежность, подтвержденная расширенными тестами на устойчивость к перегрузкам (например, 100% тестирование на стойкость к лавинному пробою).

Основное назначение: Применяется в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (Hard-Switching), таких как:

  • Корректоры коэффициента мощности (PFC)
  • Резонансные преобразователи (LLC)
  • Прямоходовые и двухтактные преобразователи

Ключевые особенности и преимущества

  • Технология CoolMOS™ P6: Оптимальный компромисс между низкими коммутационными потерями и низким RDS(on).
  • Высокая надежность: Гарантированная стойкость к лавинному пробою (100% тестирование), высокая устойчивость к динамическому включению (dv/dt).
  • Низкое сопротивление: RDS(on) всего 160 мОм при 25°C.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря низким внутренним емкостям.
  • Повышенная стойкость к статическому электричеству (ESD): Уровень защиты до 2 кВ (HBM).
  • Улучшенная устойчивость к перегрузкам по току и короткому замыканию.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | | | Корпус | TO-220 | | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.160 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, Tj = 25°C | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | ~0.240 Ом (тип.) | При VGS = 10 В, Tj = 100°C | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 9.5 А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 38 А | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.5 В | Тип. 3.8 В | | Общий заряд затвора (Qg) | 36 нКл (тип.) | При VDS = 480 В, ID = 9.5 А | | Входная емкость (Ciss) | 1100 пФ (тип.) | | | Время включения (ton) / выключения (toff) | 15 нс / 65 нс (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | При Tc = 25°C | | Диапазон рабочей температуры перехода (Tj) | от -55 °C до +150 °C | | | Упаковка | Tube (трубка) | |


Совместимые модели и парт-номера (Cross-Reference)

Транзисторы в этой линейке часто имеют прямые или близкие аналоги у других производителей и внутри портфолио Infineon. Совместимость всегда нужно проверять по даташиту, особенно по динамическим параметрам (Qg, Ciss) и кривым RDS(on).

1. Аналоги от Infineon (внутренние)

  • IPA60R160P6XKSA1 — Основной номер для заказа в трубке (Tube).
  • SPA60R160P6XKSA1То же самое изделие, но поставляемое на ленте (Tape & Reel) для автоматизированного монтажа. Электрические параметры идентичны.
  • Близкие по характеристикам модели Infineon CoolMOS P6: IPA60R140P6, IPA60R190P6, IPA60R125P6 (отличаются в основном RDS(on)).

2. Прямые аналоги от других производителей (наиболее вероятные)

Прямых 100% аналогов с тем же номером не существует, но следующие модели имеют сопоставимые ключевые параметры (600В, ~9-11А, TO-220) и могут рассматриваться как замены после тщательной проверки схемы:

  • STMicroelectronics: STP9NK60Z, STW9NK90Z (но технология отличается).
  • ON Semiconductor (Fairchild): FCP9N60, FQA9N90C.
  • Vishay (Siliconix): SUD09N60-xx серии.
  • Toshiba: TK9A60D (серия DT MOS IV).

3. Ключевые параметры для поиска аналога

При поиске замены ориентируйтесь на:

  1. Напряжение VDSS: 600 В.
  2. Ток ID: 9-11 А (с учетом охлаждения).
  3. Корпус: TO-220.
  4. Ключевой параметр для вашей схемы:
    • Для частотных схем с жестким переключением — заряд затвора (Qg) и емкости (Ciss, Coss). Нужно искать значение Qg ~36 нКл.
    • Для схем, критичных к потерям проводимости — RDS(on) при рабочей температуре (~0.24 Ом при 100°C).

Важное примечание

IPA60R160P6XKSA1 и SPA60R160P6XKSA1 — это одно и то же устройство. Разница только в способе упаковки:

  • "IP" — поставляется в трубке (Tube), удобно для прототипирования и ручного монтажа.
  • "SP" — поставляется на ленте (Tape & Reel), используется в серийном производстве с автоматическими установщиками компонентов (Pick-and-Place машинами).

Рекомендация: Перед заменой на аналог обязательно проведите сравнительный анализ даташитов, уделяя внимание не только статическим, но и динамическим характеристикам, а также рекомендуемым условиям работы (особенно по напряжению затвора VGS). Для максимальной надежности в ремонте или новом проекте предпочтительнее использовать оригинальную модель от Infineon.

Товары из этой же категории