Infineon IPA60R750E6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon IPA60R750E6.

Описание

Infineon IPA60R750E6 — это N-канальный MOSFET-транзистор, созданный по передовой технологии CoolMOS™ E6 (седьмое поколение). Он представляет собой ключевой компонент для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Основная концепция и преимущества технологии CoolMOS™ E6:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.75 Ом при 10.5 В на затворе. Это минимизирует проводимые потери и нагрев в открытом состоянии.
• Оптимизированная динамика: Улучшенные характеристики по заряду затвора (Qg) и выходной емкости (Eoss) позволяют снизить коммутационные потери, особенно в жестких режимах переключения (например, в LLC-резонансных преобразователях).
• Высокая надежность: Технология обеспечивает высокую стойкость к лавинным процессам (100% тестирование UIS) и отличную устойчивость к динамическому включению (dv/dt).
• Цель применения: Идеально подходит для сетевых (mains) приложений с рабочим напряжением до 600 В, таких как:
  • Импульсные блоки питания (SMPS) для ПК, серверов, игровых консолей.
  • Телевизоры и мониторы.
  • Адаптеры высокой мощности.
  • Осветительные решения (LED драйверы).
  • Источники бесперебойного питания (ИБП).

Корпус: TO-220 FullPAK (изолированный). Этот корпус позволяет монтировать транзистор на радиатор без использования изолирующей прокладки, что улучшает тепловые характеристики.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET, Superjunction (CoolMOS™) | | | Корпус | TO-220 FullPAK (изолированный) | | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 650 В | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.75 Ом | VGS = 10.5 В, ID = 4.2 А | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 6.2 А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 24.8 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~16.5 нКл | Типовое значение, ключевой параметр для расчета драйвера | | Энергия выходной емкости (Eoss) | ~12.5 мкДж | Низкое значение снижает потери при включении | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.5 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (VGS) | ±30 В | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 1.67 К/Вт | | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Транзисторы часто имеют маркировку на корпусе, отличную от полного парт-номера.

• Полное название Infineon: IPA60R750E6XKSA1
• Маркировка на корпусе (в большинстве случаев): 60R750E6

Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

При поиске замены необходимо учитывать не только электрические параметры (VDSS, RDS(on), ID), но и динамические (Qg, Eoss), а также корпус.

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или из других поколений):

• SPA60R750E6 — Аналог в корпусе TO-247. Имеет лучшие тепловые характеристики (ниже RthJC).
• IPP60R750E6 — Аналог в корпусе TO-220 (неизолированный, стандартный). Требует изолирующей прокладки для монтажа на радиатор.
• IPA60R750P6S — Модель из предыдущего поколения CoolMOS™ P6. Может использоваться как функциональная замена, но с несколько другими динамическими характеристиками.

2. Аналоги от других производителей: Важно проверять даташиты на полное соответствие в конкретной схеме.

• STMicroelectronics:
  • STF6N60M6 (MDmesh™ M6) — 600В, 0.75 Ом, TO-220FP.
  • STP6N60M6 (MDmesh™ M6) — 600В, 0.75 Ом, TO-220 (неизол.).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCPF6N60NT — 600В, 0.75 Ом, TO-220F (изолированный).
• Toshiba:
  • TK6A60W6 (DTMOS VI) — 600В, 0.75 Ом, TO-220IS (изолированный).
• Nexperia:
  • P6KE650A — Это TVS-диод, внимание! Не перепутайте. Прямого аналога MOSFET от Nexperia в этом классе может не быть.

Рекомендации по замене

1. Приоритет: Лучше всего использовать модель из той же технологической линейки в другом корпусе (SPA60R750E6 или IPP60R750E6).
2. При замене на аналог другого производителя: Обязательно сравнивайте ключевые для вашего приложения параметры: VDS, RDS(on), Qg, Eoss и корпус. Особое внимание уделите разводке печатной платы (pinout), она может отличаться.
3. В ремонте: Если важна именно изолированная версия (FullPAK/FP/IS), ищите аналоги с соответствующим суффиксом в корпусе.

Данный транзистор является отраслевым стандартом для бюджетных и среднебюджетных решений мощностью 150-300 Вт, и его аналоги широко доступны на рынке.