Infineon IPA90R1K2C3XKSA1

Отличный выбор! IPA90R1K2C3XKSA1 — это высоковольжный, высокоэффективный силовой MOSFET-транзистор от Infineon, один из флагманов в своем классе. Вот подробное описание и технические характеристики.

Описание

IPA90R1K2C3XKSA1 — это N-канальный MOSFET, созданный по передовой технологии CoolMOS™ C3 (Third Generation). Эта серия является эволюционным развитием знаменитых Superjunction MOSFET и оптимизирована для работы в жестких коммутационных режимах (Hard Switching), что типично для импульсных источников питания (SMPS).

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ C3: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при заданных размерах кристалла, что ведет к минимальным статическим потерям проводимости.
• Оптимизация для Hard Switching: Внутренняя структура и динамические параметры (заряды затвора, емкости) оптимизированы для снижения коммутационных потерь в схемах с жестким переключением (например, прямоходовые, двухтактные, мостовые топологии).
• Высокое напряжение сток-исток: 900В — делает его идеальным для сетевых приложений с напряжением 400В постоянного тока (выпрямленная трехфазная сеть) или 600-800В в шине постоянного тока после корректора коэффициента мощности (PFC).
• Высокая эффективность: Сочетание низких потерь на проводимость и переключение позволяет создавать компактные и высокоэффективные блоки питания.
• Быстрый встроенный диод: Тело-стоковый диод имеет хорошие характеристики восстановления, что важно для индуктивных нагрузок.
• Пакет TO-220: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошим отводом тепла.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и большой мощности
• Источники питания для серверов, телекоммуникационного оборудования
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно на уровнях мощности от 300Вт и выше
• Промышленные источники питания
• Источники сварочного оборудования

Основные технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 900 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 1.2 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 1.5 А, T_j = 25°C | | Постоянный ток стока | I_D | 3.1 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 12.4 А | | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора | Q_g | 15 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера. При V_GS=10В | | Входная емкость | C_iss | 530 пФ (тип.) | | | Выходная емкость | C_oss | 22 пФ (тип.) | | | Макс. рассеиваемая мощность | P_tot | 48 Вт | При T_C = 25°C (на теплоотводе) | | Диапазон рабочей температуры p-n перехода | T_j | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера и совместимые модели

Этот транзистор является частью большого семейства. Вот основные парт-номера внутри линейки Infineon CoolMOS C3 с аналогичными или близкими параметрами, которые могут использоваться как прямые или оценочные аналоги в зависимости от требований схемы:

Прямые аналоги от Infineon (тот же корпус, схожие ключевые параметры):

• SPA90R1K2C3 – Аналогичный транзистор в корпусе TO-247. Имеет лучший тепловой режим из-за большего корпуса.
• IPx90R1K2C3 – Серия для различных корпусов (например, D²PAK, TO-220FP). Цифра "1K2" в номенклатуре означает R_DS(on) ~1.2 Ом.

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей:

При поиске аналога важно смотреть на V_DSS (900В), R_DS(on) (1.2 Ом), заряд затвора (Q_g) и корпус (TO-220).

• STMicroelectronics:
  • STF9NK90Z (MOSFET серии MDmesh™ K5, 900В, 0.95 Ом, TO-220FP) — более низкое R_DS(on).
  • STP9NK90Z (TO-220) — аналог STF9NK90Z в корпусе TO-220.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCPF9N90 (SuperFET® II, 900В, 1.2 Ом, TO-220F) — очень близкий аналог.
  • FCP9N90 (TO-220) — близкий аналог.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP9N90-21 (900В, 1.2 Ом, TO-220) — практически прямой аналог.
• Toshiba:
  • TK9A90W (DTMOS IV, 900В, 1.4 Ом, TO-220SM(W)) — близкий аналог.

Важное примечание по замене:

Несмотря на схожесть основных параметров, динамические характеристики (C_iss, C_rss, Q_gd, Q_gs) и характеристики встроенного диода могут отличаться. Перед заменой на аналог от другого производителя крайне рекомендуется:

1. Внимательно сравнить даташиты, особенно графики зависимостей.
2. Проверить работу в реальной схеме, уделив внимание нагреву и форме импульсов на стоке/затворе.
3. Учесть, что Infineon CoolMOS C3 имеет специфическую оптимизацию, и прямое копирование без проверки может привести к повышенным потерям или ЭМП.

Вывод: IPA90R1K2C3XKSA1 — это высококачественный, надежный MOSFET для требовательных применений в силовой электронике, где критичны эффективность и надежность. При замене приоритет следует отдавать прямым аналогам от Infineon, а модели других брендов требуют дополнительной валидации в схеме.