Infineon IPB120N06S4-02
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPB120N06S4-02
Отличный выбор! IPB120N06S4-02 — это высокоэффективный N-канальный силовой MOSFET от Infineon, выполненный в популярном корпусе TO-263-3 (D²PAK). Он принадлежит к линейке OptiMOS™ 4, известной своими выдающимими характеристиками по сопротивлению в открытом состоянии и зарядам переключения.
Краткое описание
IPB120N06S4-02 — это современный MOSFET, оптимизированный для приложений, где критически важны высокая эффективность и надежность. Его ключевые преимущества:
- Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)), что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
- Высокая стойкость к лавинным пробоям (100% тестирование), обеспечивающая надежность в жестких условиях работы.
- Оптимизированные динамические характеристики (низкие заряды Qg, Qgs, Qgd) для работы на высоких частотах с минимальными потерями на переключение.
- Соответствие стандарту RoHS и наличие галоген-фри версии.
Основные области применения:
- Системы управления двигателями (мотор-драйверы) в электроинструменте, садовой технике, электромобилях.
- Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS), особенно в синхронных выпрямителях на низковольтной стороне.
- DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие).
- Силовые ключи в инверторах, H-мостах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Корпус | TO-263-3 (D²PAK) | Пластиковый, с возможностью пайки на плату или установки на радиатор. | | Стандарт | OptiMOS™ 4 | | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 60 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Ток стока (Id) | 120 А | При температуре корпуса Tc = 25°C. | | Ток стока (Id) | 85 А | При температуре корпуса Tc = 100°C. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | < 1.2 мОм | Ключевой параметр! При Vgs = 10 В, Id = 60 А. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 3.0 В. | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В | Не превышать! | | Заряд затвора (Qg) | ~ 105 нКл | При Vgs = 10 В, Id = 60 А. Влияет на скорость переключения. | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 357 Вт | При Tc = 25°C (теоретический максимум). | | Диод сток-исток | Встроенный "body-diode" | Прямое напряжение Vsd ~ 1.3 В. | | Стойкость к лавинному пробою (Eas) | 1.0 Дж | 100% тестирование на производстве. | | Температура хранения/перехода | от -55°C до +150°C | Tj(max) = 150°C. |
Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги
Этот компонент может встречаться под разными маркировками в зависимости от упаковки и наличия/отсутствия галогенов.
- Основной номер: IPB120N06S4-02
- Альтернативные написания от Infineon:
- IPB120N06S4-02XKSA1 — вероятно, полный номер для заказа на ленте/в катушке.
- SPB120N06S4-02 — аналог в корпусе TO-263-7 (D²PAK-7) с дополнительными выводами для лучшего отвода тепла и измерения тока.
- Код на корпусе (marking): Скорее всего, будет нанесена маркировка вида "120N06S4" или ее часть.
Совместимые модели / Аналоги от других производителей (Кросс-референс)
При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: Vds (60В), Id (120А), Rds(on) (~1.2 мОм), корпус (TO-263-3) и динамические характеристики (Qg).
От Infineon (более новые/старые поколения):
- OptiMOS™ 5: IPB120N06N5 (аналогичные или лучшие параметры).
- OptiMOS™ 3: IPB120N06N3 (возможно, с чуть более высоким Rds(on)).
- OptiMOS™ 6/7: На момент написания это более новые серии, но прямого аналога по корпусу и току может не быть. Нужно искать по параметрам.
От других ведущих производителей:
| Производитель | Серия | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | TrenchFET® | SQJ120EP-06 | Очень близкие характеристики. | | ON Semiconductor | NTMFS | NTMFS5C604N | Проверить корпус и распиновку. | | STMicroelectronics | STripFET™ F7 | STL120N6F7 | Высокотехнологичный аналог. | | Nexperia | NextPowerS3 | PSMN3R6-60YS | Обратить внимание на значение Rds(on) (3.6 мОм) — оно выше, но серия очень эффективна. | | Alpha & Omega Semiconductor | αMOS5 | AOTL120A60 | |
Важное предупреждение: Перед заменой обязательно сверяйтесь с даташитами (datasheet) обоих компонентов, особенно разделы Absolute Maximum Ratings, Electrical Characteristics и Typical Application Characteristics. Также обратите внимание на распиновку (pinout) корпуса, так как у некоторых аналогов в том же корпусе выводы Drain и Source могут быть поменяны местами.