Infineon IPB50CN10NG

Отличный выбор! IPB50CN10NG — это очень популярный и удачный силовой MOSFET транзистор от Infineon. Вот подробное описание, характеристики и информация о совместимости.

Описание

IPB50CN10NG — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Это основная линейка силовых транзисторов Infineon, известная своим исключительно низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокими показателями эффективности.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая эффективность: Благодаря низкому RDS(on) уменьшаются потери на проводимость и нагрев, что особенно критично в импульсных источниках питания.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Высокая надежность: Технология OptiMOS™ обеспечивает высокую стойкость к перегрузкам и качественную работу.
• Основные области применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS): В частности, сильноточные выходные каскады (синхронные выпрямители, ключи низкой стороны), блоки питания для серверов, ПК, игровых консолей.
  • DC-DC преобразователи: Широко используется в понижающих (Buck) и повышающих (Boost) преобразователях.
  • Управление двигателями: В драйверах моторов, H-мостах (например, в силовых инверторах, электроинструменте).
  • Цепи защиты (eFuse, активная OR'ing): Для коммутации и защиты силовых шин.

Технические характеристики (кратко)

• Тип: N-канальный, Enhancement mode (нормально закрытый)
• Корпус: TO-263 (D²PAK). Это популярный SMD-корпус для силовых применений с хорошим отводом тепла через заднюю металлическую площадку.
• Полярность: Single (одиночный транзистор в корпусе).
• Напряжение "сток-исток" (Vds): 100 В
• Ток стока (Id): 50 А (при температуре корпуса 25°C). Важно: При температуре 100°C максимальный непрерывный ток обычно снижается до ~30-35А (см. даташит).
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 10.5 мОм (макс.) при Vgs = 10 В. Это ключевой параметр, определяющий КПД.
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2.5 - 4.0 В (тип. 3.2 В)
• Заряд затвора (Qg): ~ 55 нКл (тип.) — параметр, важный для расчета драйвера.
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 Вт (при условии идеального теплоотвода).

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор имеет несколько обозначений в зависимости от упаковки и маркировки. Основной номер — IPB50CN10NG.

Также вы можете встретить:

• IPB50CN10NGXKSA1 — полный ordering code, который может включать информацию о ленте и катушке.
• На корпусе наносится маркировка: 50CN10NG

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

При поиске аналога необходимо в первую очередь смотреть на ключевые параметры: корпус (TO-263/D²PAK), Vds=100В, Id ~50А, низкое Rds(on).

Прямые аналоги / Конкуренты с очень близкими параметрами:

1. Infineon (внутри бренда):

   • IPP50CN10NG — практически тот же транзистор, но в корпусе TO-220 (для монтажа через отверстие с радиатором).
   • Новые поколения OptiMOS™ с лучшими параметрами: IPB50N10N3G (тоже 100В/50А, но Rds(on) всего 7.0 мОм). Часто является рекомендуемой заменой для модернизации.
   • IPB50N10N5G (Rds(on) ~5.8 мОм) — еще более эффективная модель.

2. STMicroelectronics:

   • STP50N10F7 — 100В / 50А / Rds(on) = 12 мОм (очень близкий аналог).
   • STH50N10F7 — в корпусе TO-220.

3. Vishay / Siliconix:

   • SQJ50EP10-100 — 100В / 50А / Rds(on) = 10.5 мОм (практически полный аналог).

4. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FDB50N10 — 100В / 50А / Rds(on) = 12 мОм.
   • NTD50N10RG — 100В / 50А / Rds(on) = 12 мОм.

5. IR (International Rectifier, теперь часть Infineon):

   • Старые модели, такие как IRF1010EZ, значительно уступают по параметрам (Rds(on) выше). Логичнее искать среди современных линеек Infineon.

Важные замечания по замене:

• Всегда сверяйтесь с даташитами! Перед заменой обязательно проверьте распиновку (pinout), которая в D²PAK обычно стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но бывают исключения.
• Обращайте внимание на заряд затвора (Qg) и характеристики внутреннего диода (если он используется в схеме). Незначительные отличия в этих параметрах могут потребовать корректировки драйвера.
• IPB50CN10NG является проверенным "рабочим" решением, но для новых разработок Infineon рекомендует использовать более новые поколения (например, IPB50N10N3G или IPB50N10N5G), так как они предлагают лучшую эффективность при сопоставимой или более низкой цене.

Где искать информацию: Полные и актуальные технические характеристики всегда следует смотреть в официальном даташите (datasheet) на сайте Infineon.