Infineon IPB65R190C6

Отличный выбор! IPB65R190C6 — это высоковольтный силовой MOSFET-транзистор от Infineon, известный своим высоким КПД и надежностью. Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.

Краткое описание

IPB65R190C6 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Это третье поколение суперджекшн-транзисторов, оптимизированное для высокочастотных и высокоэффективных применений. Ключевые преимущества — исключительно низкие динамические потери (Eoss, Qg) и выдающееся соотношение "цена/производительность".

Основные области применения:

• Источники питания с коррекцией коэффициента мощности (PFC), особенно в режиме непрерывного тока (CCM).
• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникаций, промышленного оборудования.
• Инверторы для солнечной энергетики.
• Приложения, требующие высокой частоты переключения (десятки-сотни кГц).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Superjunction (CoolMOS™ C6) | | | Корпус | TO-263-3 (D2PAK) | Плоский, для поверхностного монтажа, с теплоотводящей контактной площадкой. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 650 В | Рабочее напряжение. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 190 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 9.5 А. Ключевой параметр, отражен в названии. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 250 мОм (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 5.5 А. Важно для низковольтного управления. | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 18 А | При T_c = 25°C. | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 72 А | | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 4.5 В | Тип. 3.8 В. | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 56 нКл (тип.) | Низкое значение снижает потери на переключение. | | Выходная емкость (C_oss) | ~ 100 пФ (тип.) при 400 В | Крайне низкое значение — главная "фишка" серии C6, минимизирует потери при включении (E_oss). | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 156 Вт | При T_c = 25°C. |

Преимущества технологии CoolMOS™ C6:

1. Низкие E_oss и Q_rr: Позволяют работать на высоких частотах с малыми коммутационными потерями, что повышает общий КПД системы.
2. Высокая стабильность параметров: Минимальный разброс ключевых характеристик от партии к партии.
3. Высокая надежность: Улучшенная стойкость к перегрузкам и качество производства.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный номер для заказа — IPB65R190C6XKSA1. Последние суффиксы (XKSA1) могут незначительно меняться в зависимости от упаковки (катушка/рулон) и производственной партии, но основная часть IPB65R190C6 является уникальным идентификатором.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей

Полных 100% аналогов с идентичными характеристиками часто нет, но есть близкие по ключевым параметрам (V_DSS, R_DS(on), корпус). Важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами, особенно по вольт-амперным характеристикам, емкостям и цепям управления.

| Производитель | Модель-аналог | Корпус | V_DSS | R_DS(on) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP18N65M6 | TO-220 / D2PAK | 650 В | 190 мОм | Аналог по основным параметрам, технология MDmesh™ M6. | | ON Semiconductor | FCP18N65S | TO-220FP / D2PAK | 650 В | 190 мОм | SuperFET® III, хороший аналог по характеристикам. | | Fairchild/ON Semi | FCP18N65S3 | TO-220FP / D2PAK | 650 В | 190 мОм | Улучшенная версия SuperFET®. | | Vishay/Siliconix | SUP18N65-19 | TO-220 / D2PAK | 650 В | 190 мОм | | | Power Integration | Модели в своих сборках | | | | Часто используются в их референс-дизайнах. |

Совместимые модели из той же линейки CoolMOS™ C6 (Infineon)

Можно смело использовать другие транзисторы серии C6 с близким или меньшим R_DS(on) и таким же или большим напряжением, если это позволяет конструктив и схема управления:

• IPB65R110C6 (110 мОм) — более мощный, меньше потери на проводимость.
• IPB65R250C6 (250 мОм) — менее мощный, но, возможно, более экономичный вариант.
• IPB65R190C6 в другом корпусе: IPP65R190C6 (TO-220 FullPAK) или IPD65R190C6 (D²PAK-7 SMD).

Важно при замене:

1. Корпус и монтаж: Убедитесь, что цоколевка и тепловые характеристики корпуса идентичны (TO-263, D2PAK).
2. Параметры переключения: Особое внимание на Q_g, C_iss, C_oss. Различия могут потребовать корректировки драйвера затвора.
3. R_DS(on) при V_GS=4.5В: Если ваша схема управляет затвором низким напряжением (например, 5В), этот параметр критически важен.

Рекомендация: Для минимальных рисков в ремонте или новом проекте лучшим выбором является оригинальный IPB65R190C6 или его прямой аналог из списка выше с обязательной проверкой по даташиту.