Infineon IRF250P225

Отличный выбор! IRF250P225 — это очень известный и надежный силовой MOSFET-транзистор от Infineon (ранее International Rectifier). Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание

Infineon IRF250P225 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии HEXFET. Он предназначен для использования в мощных импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах, контроллерах двигателей и других приложениях, где требуются высокий ток, низкое сопротивление в открытом состоянии и высокая скорость переключения.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)) минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Высокая устойчивость к перегрузкам: Большой запас по току и энергии (Avalanche Energy Rated).
• Улучшенная устойчивость к dv/dt: Технология HEXFET обеспечивает высокую надежность и устойчивость к ложным включениям.
• Планарная технология: Обеспечивает низкий уровень заряда затвора и высокую повторяемость параметров.

Основные технические характеристики (ТТХ)

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET (HEXFET)
• Корпус: TO-247 (стандартный, с отверстием для крепления на радиатор)
• Полярность: N-канал (для коммутации "низкой" стороны, Side или в мостовых схемах с драйвером)
• Напряжение "сток-исток" (Vdss): 200 В
• Максимальный непрерывный ток стока (Id) при Tc=25°C: 30 А
• Максимальный импульсный ток стока (Idm): 120 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)):
  • Макс. 0.085 Ом при Vgs = 10 В, Id = 15 А
  • Макс. 0.055 Ом при Vgs = 10 В, Id = 30 А (типовое значение еще ниже)
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2.0 - 4.0 В (тип. 3.0 В)
• Заряд затвора (Qg) (тип.): 63 нКл (при Vgs=10 В)
• Время включения (td(on) + tr): ~ 30 нс
• Время выключения (td(off) + tf): ~ 70 нс
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 Вт (при Tc=25°C, на практике ограничивается радиатором)
• Диод сток-исток (Internal Body Diode): Есть. Прямой ток (Is) = 30 А, время восстановления (trr) ~ 110 нс.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Это одна из самых популярных линеек. У Infineon есть несколько парт-номеров для одного и того же кристалла в разных корпусах или с разной маркировкой:

• IRF250P225 – Основной номер в корпусе TO-247.
• IRF250 – Более старая/классическая маркировка. Фактически, это тот же транзистор. "P225" в конце часто указывает на производственную ревизию или упаковку.
• IRF250PBF – Аналог с суффиксом "PBF" (Plumb-Free, без свинца, соответствует RoHS). Это самый распространенный и рекомендуемый для новых разработок вариант.

Совместимые и аналогичные модели (от Infineon и других производителей)

При замене важно смотреть на ключевые параметры: Vdss, Id, Rds(on), корпус и заряд затвора (Qg).

Аналоги от Infineon (более новые или схожие модели):

• IPP200N25N3 G – Более современный аналог из линейки OptiMOS, имеет лучшее соотношение Rds(on) и Qg.
• IRF250NPbF – Прямой аналог.
• IRFP250NPbF – Аналог в корпусе TO-247AC (немного другие размеры "ушков" для крепления).
• IRF260NPbF – 200В, 50А, Rds(on) ~0.055 Ом (мощнее).
• IRF240NPbF – 200В, 19А, Rds(on) ~0.18 Ом (слабее, но дешевле).

Аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics: STW20NK50Z, STP20NM50FD (хотя у них часто напряжение 500В, нужно искать по 200В).
• ON Semiconductor (Fairchild): FQP20N40 (400В, но часто используется в тех же схемах), нужно искать в каталоге по параметрам.
• Vishay (Siliconix): SUP200N20-25 (очень близкий аналог).
• IXYS: IXFH20N100 (1000В) — не прямой аналог по напряжению, но популярный мощный транзистор.

Важное замечание: Несмотря на схожесть параметров, при замене, особенно в высокочастотных или критичных по времени схемах, необходимо:

1. Свериться с даташитами обоих компонентов.
2. Обратить внимание на различия в емкостях (Ciss, Coss, Crss) и заряде затвора (Qg). Это может потребовать корректировки драйвера затвора.
3. Проверить распиновку (pinout) корпуса.

IRF250P225 остается отличным, проверенным временем "рабочим" транзистором для мощных преобразователей напряжения, УМЗЧ класса D и силовых приводов. Для новых проектов часто стоит рассматривать более современные аналоги (например, из линейки OptiMOS), которые могут предложить лучшие динамические характеристики при сопоставимой цене.