Infineon IRF2805PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon IRF2805PBF.

Описание

IRF2805PBF — это мощный N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии HEXFET, которая обеспечивает низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокую эффективность переключения. Этот транзистор предназначен, в первую очередь, для применения в силовых преобразовательных устройствах, где требуются высокие токи, низкие потери и надежность.

Ключевые особенности и области применения:

• Высокая нагрузочная способность: Ток стока до 75А (при температуре корпуса 25°C) делает его подходящим для мощных нагрузок.
• Низкое сопротивление Rds(on): Всего 6.5 мОм минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET и невысокой входной емкости.
• Повышенная надежность: Параметры имеют 100% испытание на стойкость к лавинным пробоям (UIS), что указывает на высокую устойчивость к индуктивным выбросам напряжения.
• Совместимость с логическими уровнями (Logic Level): Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) типично 2-4В, что позволяет управлять им напрямую от большинства микроконтроллеров (через драйвер) и 5В/12В логики.

Типичные применения:

• Силовые блоки питания (DC-DC преобразователи, VRM)
• Низковольтные приводы двигателей (например, в электромобилях, складской технике)
• Управление мощными нагрузками (соленоиды, лампы, нагреватели)
• Инверторы и сварочное оборудование
• Системы бесперебойного питания (ИБП)

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, MOSFET | Технология HEXFET | | Корпус | — | TO-220AB | Пластиковый, с монтажным отверстием | | Макс. напряжение "сток-исток" | Vds | 55 В | | | Макс. ток стока (непрерывный) | Id | 75 А | При Tc=25°C | | Макс. ток стока (импульсный) | Idm | 300 А | | | Сопротивление "сток-исток" в открытом состоянии | Rds(on) | 6.5 мОм (макс.) | Vgs=10 В, Id=42 А | | | | 8.5 мОм (макс.) | Vgs=4.5 В, Id=28 А | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 2 - 4 В | Vds=Vgs, Id=250 мкА | | Макс. напряжение "затвор-исток" | Vgs | ±20 В | | | Общий заряд затвора | Qg (тип.) | 110 нКл | Vgs=10 В | | Входная емкость | Ciss (тип.) | 3800 пФ | | | Макс. рассеиваемая мощность | Pd | 230 Вт | При Tc=25°C | | Диод "сток-исток" (встроенный) | — | Есть | Интегрированный обратный диод (Body Diode) | | Температура хранения/перехода | Tj, Tstg | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера и прямые аналоги

Прямые аналоги в корпусе TO-220 (функционально и параметрически близкие замены):

1. International Rectifier (ныне Infineon):

   • IRF2805 (оригинальная версия от IR, идентична IRF2805PBF)
   • IRF2805S (в корпусе D²PAK/TO-263, для поверхностного монтажа)

2. STMicroelectronics:

   • STP75NF55 (Vds=55V, Id=75A, Rds(on)=9.0 мОм) — очень популярный аналог.
   • STP75NF55FP (в корпусе TO-220FP, полностью изолированный).
   • STW75NF55 (в корпусе TO-247).

3. Vishay / Siliconix:

   • SUD75N05-09 (Vds=55V, Id=75A, Rds(on)=9.0 мОм).

4. Fairchild / ON Semiconductor:

   • FDP75N05 (Vds=55V, Id=75A, Rds(on)=9.0 мОм).

5. NXP (Philips):

   • PSMN5R5-55YS (Vds=55V, Id=75A, Rds(on)=5.5 мОм) — более современный и эффективный.

Совместимые модели для замены (важные критерии)

При замене IRF2805PBF необходимо обращать внимание на следующие ключевые параметры, чтобы новая деталь была полностью совместима в схеме:

• Напряжение Vds: Должно быть не менее 55В. Можно брать с запасом (например, 60В, 75В), если позволяет цена и емкость затвора.
• Ток Id: Рекомендуется не менее 75А (при Tc=25°C). Обращайте внимание на ток при реальной температуре корпуса.
• Сопротивление Rds(on): Желательно сопоставимое или ниже (например, ≤ 8-10 мОм при Vgs=10В). Более низкое Rds(on) снизит нагрев.
• Напряжение управления затвором (Vgs): Критически важно. IRF2805 хорошо открывается уже от 4.5В. Аналог также должен быть Logic-Level или Standard-Level, но с проверкой порогового напряжения под вашу схему управления.
• Корпус и цоколевка: Стандартная для TO-220 (G-D-S). Для аналогов в других корпусах (TO-247, D²PAK) необходимо соответствие по монтажу.
• Динамические характеристики (Qg, Ciss): Особенно важно в схемах с высокой частотой переключения. Значительное увеличение заряда затвора может потребовать более мощного драйвера.

Популярные универсальные замены (часто используются как аналоги):

• IRF3205 (Vds=55V, Id=110A, Rds(on)=8.0 мОм) — более мощный, с чуть большим Rds(on), но очень распространен.
• IRFZ44N (Vds=55V, Id=49A, Rds(on)=22 мОм) — НЕ является полноценной заменой! Значительно слабее по току и сопротивлению, можно использовать только в менее требовательных схемах при пересчете параметров.

Вывод: IRF2805PBF — это проверенный временем, надежный и мощный MOSFET. При его замене лучшим выбором будут прямые аналоги от STMicroelectronics (STP75NF55) или современные аналоги от NXP с улучшенными параметрами. Всегда сверяйтесь с даташитом конкретного аналога перед заменой.