Infineon IRF40B207

Отличный выбор! Infineon IRF40B207 — это мощный и надежный силовой MOSFET, широко используемый в инверторах, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и моторных приводах.

Описание

IRF40B207 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии TrenchStop™ от Infineon. Ключевая особенность этой серии — очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при высокой рабочей температуре, что обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД. Он предназначен для работы в жестких условиях мощных переключающих приложений.

Основные преимущества:

• Высокая эффективность: Очень низкое Rds(on) (всего 4.5 мОм при Vgs=10 В) снижает нагрев.
• Высокая надежность: Технология TrenchStop™ обеспечивает отличную устойчивость к перегрузкам и высокую стойкость к лавинному пробою.
• Быстрое переключение: Подходит для высокочастотных схем (благодаря низким зарядами затвора).
• Расширенный диапазон рабочих температур: Корпус рассчитан на эффективный отвод тепла.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Корпус | TO-247 | Стандартный для мощных применений | | Сток-Исток напряжение (Vdss) | 200 В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (Id) при 25°C | 40 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 160 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 4.5 мОм | При Vgs = 10 В, ключевой параметр | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 130 нКл | Влияет на скорость переключения | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 333 Вт | При Tc=25°C | | Диапазон рабочей температуры | -55 … +175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки и маркировки.

• Основной номер: IRF40B207
• Альтернативная маркировка на корпусе: Часто пишется сокращенно, например, 40B207.
• Полный аналог от Infineon в корпусе TO-247 Plus (с улучшенным теплоотводом): IRF40B207PBF (суффикс PBF означает "без свинца").
• Аналог в корпусе TO-220 (для менее мощных применений): IRF40B209 (но у него другие характеристики, это не полная замена).

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске замены важно сравнивать ключевые параметры: Vdss (200В), Id (40А), Rds(on) (~4-5 мОм) и корпус (TO-247).

Ближайшие аналоги от других брендов:

1. STMicroelectronics:

   • STP40NF20 (200В, 40А, 6.5 мОм) — классический, но Rds(on) выше.
   • STW40N20 (TO-247, 200В, 40А) — хороший вариант.
   • STP40N20M2 (более современный, 4.8 мОм).

2. Vishay / Siliconix:

   • SUD40N20-26 (200В, 40А, 5.5 мОм).

3. Fairchild / ON Semiconductor:

   • FQP40N20 (200В, 40А, 5.0 мОм, TO-247) — очень популярный аналог.
   • NTF40N20 (200В, 40А, 5.0 мОм).

4. International Rectifier (IR):

   • IRF40B209 (уже упоминался, 150В, 40А, TO-220) — обратите внимание, напряжение ниже!
   • IRFP250 (200В, 30А, 8.5 мОм) — более старый и менее эффективный, но часто используется.

5. Более современные аналоги (с лучшими параметрами):

   • Infineon IPP40N20S4-26 (200В, 40А, 2.6 мОм!) — прямая замена с гораздо более низкими потерями.
   • Infineon IPP40N20S5-16 (200В, 40А, 1.6 мОм) — еще лучше, но может быть дороже.

Важное замечание по замене:

Всегда проверяйте распиновку (pinout) корпуса, особенно при замене аналогами от других производителей. Хотя для TO-247 она чаще всего стандартная (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), бывают исключения. Также обращайте внимание на характеристики, связанные со скоростью переключения (заряды Ciss, Coss, Crss, Qg), если ваше приложение высокочастотное.

Вывод: IRF40B207 — это проверенный, надежный и эффективный транзистор для силовой электроники. При его замене лучше всего искать прямые аналоги от Infineon (например, в улучшенном корпусе) или тщательно подбирать модели от STM, ON Semi, Vishay, сверяя даташиты по ключевым параметрам.