Infineon IRF7343PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon IRF7343PBF.

Описание

IRF7343PBF — это популярный N- и P-канальный MOSFET в одном корпусе, так называемый «комплементарный» или «комплементарный парный» транзистор. Он интегрирован в компактный 8-выводной корпус SOIC-8.

• Основное назначение: Предназначен для управления нагрузкой в схемах, где требуется эффективное переключение напряжения, особенно в мостовых конфигурациях (H-мост, полумост), что часто используется в управлении двигателями постоянного тока, шаговыми двигателями, а также в инверторах и синхронных выпрямителях.
• Ключевое преимущество: Интеграция двух транзисторов с разным типом проводимости в одном корпусе значительно экономит место на печатной плате, упрощает монтаж и улучшает тепловые и динамические характеристики пары за счет симметричного расположения кристаллов.
• Применение: Широко используется в потребительской электронике, компьютерной периферии (например, управление вентиляторами), источниках питания, автомобильной электронике (некритичные системы) и промышленной автоматизации.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | N-канальный MOSFET (Q1) | P-канальный MOSFET (Q2) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Корпус | SOIC-8 | SOIC-8 | Интегрированы в один корпус | | Полярность | N-Channel | P-Channel | | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 55 В | -55 В | Максимальное напряжение | | Стоковый ток (I_D) при 25°C | 6.5 А | -5.5 А | Постоянный ток | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.045 Ом (при V_GS=10 В) | 0.105 Ом (при V_GS=-10 В) | Ключевой параметр для потерь проводимости | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2 - 4 В | -2 - -4 В | Типовое ~3 В / -3 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~15 нКл (тип.) | ~15 нКл (тип.) | Влияет на скорость переключения | | Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 2 Вт (при T_A=25°C) | 2 Вт (при T_A=25°C) | Для всего корпуса |

Важные особенности:

• Встроенный обратный диод: Каждый транзистор имеет встроенный защитный диод (body diode).
• Быстрое переключение: Оптимизирован для скоростной работы.
• Логический уровень (частично): R_DS(on) указано при ±10В, но транзисторы могут работать и от более низких напряжений затвора (например, ±5В или ±4.5В), хотя с чуть большим сопротивлением.

Парт-номера и прямые аналоги

Прямые функциональные и конструктивные аналоги (полные замены), часто с тем же расположением выводов:

1. Прямые аналоги от других производителей:

• Fairchild / ON Semiconductor: FDS8949 (очень близкий аналог, один из самых популярных)
• Vishay / Siliconix: Si7343DP (прямой аналог по названию и параметрам)
• STMicroelectronics: STD95N4F3-6 (в корпусе PowerSO-8, требует проверки разводки платы)
• Diodes Incorporated: DMC2035LVT-7

2. Альтернативные номера от Infineon (снятые с производства или для разных рынков):

• IRF7343
• IRF7343PBF (PBF означает "Lead-Free" - без свинца, это текущая версия)

Совместимые и заменяемые модели (важно проверить даташит!)

Эти модели имеют схожие или лучшие параметры и совместимы по выводам (pin-to-pin), но могут отличаться некоторыми характеристиками (напряжение, сопротивление). Всегда сверяйтесь с datasheet перед заменой.

С улучшенными параметрами (меньшее R_DS(on)):

• Infineon IRF7343PbF (это и есть текущая версия, просто другое написание)
• Vishay Si7346DP (R_DS(on) ниже как у N, так и у P-канала)
• ON Semiconductor NVD6899 (более современная модель с низким R_DS(on))

С другими номиналами напряжения/тока (при необходимости):

• На 30В: Infineon IRF7307 (V_DSS=30В) или IRF7309
• На 20В / с очень низким R_DS(on): Infineon IRF7328, IRF7335
• С более высоким током (в корпусе SOIC-8): Infineon IRF7341 (11А N-ch / -8.5А P-ch), IRF7342 (9.5А / -7.5А)

Рекомендации по замене

1. Проверьте распиновку (Pinout): Убедитесь, что расположение выводов (затвор, исток, сток для каждого транзистора) у аналога полностью идентично IRF7343PBF.
2. Сравните ключевые параметры: Особое внимание на:
   • V_DSS — должен быть не ниже.
   • R_DS(on) при вашем напряжении управления затвором — определяет нагрев.
   • I_D — должен быть не ниже.
   • Q_g — важно для драйвера затвора.
3. Корпус: Большинство аналогов также в SOIC-8 (DIP-8), но некоторые могут быть в PowerSO-8 (имеют тепловую подложку), что требует проверки совместимости по монтажу.

Вывод: IRF7343PBF — классическое, проверенное решение для построения мостовых схем средней мощности. При его замене наиболее безопасным и распространенным прямым аналогом является FDS8949, но всегда следует делать окончательный выбор на основе актуальных datasheet и требований конкретной схемы.