Infineon IRF7750PBF

Отличный выбор! Infineon IRF7750PBF — это очень популярный и мощный полевой транзистор (MOSFET), широко используемый в силовой электронике.

Описание

IRF7750PBF — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Это транзистор в корпусе TO-220, который является отраслевым стандартом для мощных приложений. Основные акценты технологии OptiMOS 5 сделаны на:

• Крайне низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Это минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая эффективность переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
• Высокая стойкость к перегрузкам: Хорошая способность работать в области безопасной работы (SOA).

Основные области применения:

• Силовые источники питания: В качестве ключевого транзистора в импульсных блоках питания (SMPS), особенно в топологиях синхронного выпрямления на низковольтной стороне.
• DC-DC преобразователи: В понижающих (Buck), повышающих (Boost) и других преобразователях.
• Управление двигателями: В драйверах моторов, H-мостах (например, для электромобилей, станков).
• Инверторы и системы ИБП.
• Сварочное оборудование.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

• Тип: N-канальный, Enhancement Mode (нормально закрытый)
• Корпус: TO-220 (с возможностью крепления на радиатор)
• Напряжение "Сток-Исток" (Vds): 150 В
• Ток стока (Id) при 25°C: 75 А (непрерывный)
• Ток стока (Id) при 100°C: 48 А (непрерывный)
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Макс. 3.7 мОм (при Vgs=10 В) - это ключевой параметр, указывающий на высокую эффективность.
• Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В (макс.)
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2.35 - 4.0 В (тип. 3.2 В)
• Заряд затвора (Qg): Тип. 75 нКл (при Vgs=10 В) - низкое значение, что упрощает управление и снижает потери на переключение.
• Мощность рассеяния (Pd): 200 Вт (при условии идеального теплоотвода, Tc=25°C)
• Диод "Сток-Исток": Встроенный обратный диод (Body Diode)

Парт-номера и прямые аналоги (совместимые замены)

Парт-номер (Part Number) — это именно IRF7750PBF. Буквы в конце указывают на корпус и упаковку (PBF = "Lead-Free", бессвинцовый).

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей: При поиске аналога важно совпадение ключевых параметров: Vds=150В, Id ~75А, Rds(on) ~3-4 мОм, корпус TO-220, низкий Qg.

• STMicroelectronics: STP75N150 — очень близкий аналог по параметрам и популярности.
• Vishay / Siliconix: SQJ75EP (в корпусе TO-247, мощнее) или можно подобрать из серии SiHP... с похожими параметрами.
• ON Semiconductor: FDPF75N15T — хороший аналог.
• IXYS: Модели из серии IXFH или IXTH.
• NXP (часть теперь тоже Infineon): Модели из серии PSMN.

Важные ноты по совместимости:

1. Всегда проверяйте datasheet! Даже у очень близких аналогов могут отличаться динамические характеристики (емкости, заряд), параметры встроенного диода (скорость восстановления) и точное значение Rds(on). Это может повлиять на КПД и тепловой режим в высокочастотных схемах.
2. Корпус: Обращайте внимание на идентичность корпуса (TO-220, TO-220 Full Pack, TO-247) для совместимости с креплением и радиатором.
3. Перед заменой в критичных по надежности устройствах лучше провести тесты.

Краткий итог

Infineon IRF7750PBF — это высококачественный, мощный и эффективный MOSFET, являющийся "рабочей лошадкой" для многих инженеров. Его популярность обусловлена отличным балансом цены, низкого сопротивления, высокой переключательной способности и надежности. Наличие многочисленных аналогов от других вендоров делает его еще более привлекательным для проектирования и ремонта.