Infineon IRFB4310ZPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFB4310ZPBF.

Описание

IRFB4310ZPBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET от Infineon. Он принадлежит к семейству OptiMOS™ 3, которое характеризуется исключительно низким значением сопротивления канала в открытом состоянии (Rds(on)) для своего класса напряжения.

Ключевые особенности и назначение:

• Низкие потери на проводимость: Благодаря очень низкому Rds(on) (всего 2.0 мОм при Vgs=10 В), транзистор минимизирует нагрев и повышает общий КПД системы.
• Высокая коммутационная способность: Быстрая работа позволяет эффективно использовать в импульсных схемах с частотой до нескольких сотен кГц.
• Высокая надежность: Технология OptiMOS обеспечивает высокую стойкость к лавинным breakdown (UIS) и широкий диапазон безопасной работы (SOA).
• Назначение: Предназначен для применения в качестве силового ключа в:
  • Импульсных источниках питания (SMPS) и DC-DC преобразователях.
  • Системах управления двигателями (мотор-драйверы, контроллеры для электровелосипедов, погрузчиков).
  • Инверторах и сварочном оборудовании.
  • Цепях синхронного выпрямения.

Корпус TO-220AB обеспечивает удобство монтажа и возможность установки на радиатор для отвода тепла при большой рассеиваемой мощности.

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET, OptiMOS™ 3) | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220AB | Пластиковый, с монтажным отверстием | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 100 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить | | Ток стока (Id) | 140 А | При температуре корпуса 25°C | | | 62 А | При температуре корпуса 100°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 2.0 мОм (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 70 А | | | 2.5 мОм (макс.) | При Vgs = 4.5 В, Id = 56 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Стандартный диапазон | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | Запрещается превышать! | | Заряд затвора (Qg) | 150 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В, влияет на скорость переключения | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 330 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Диод сток-исток | Встроенный обратный (body) диод | Есть, может использоваться в некоторых схемах | | Диапазон рабочих температур (Tj) | от -55°C до +175°C | Максимальная температура перехода |

Парт-номера и аналогичные модели

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с минимальными отличиями):

• IRFB4310ZGPBF — Аналог в корпусе TO-262 (D²PAK). Идентичные характеристики, корпус для поверхностного монтажа (SMD).
• IRFB4310Z — Базовая часть номера. Суффикс "PBF" означает "Lead-Free" (без свинца). Часто используется как синоним.
• IRFB4310 — Устаревшая версия, обычно с более высоким Rds(on). Не является полным аналогом.

2. Совместимые модели / Конкуренты от других производителей (с очень близкими параметрами):

При поиске аналога важно сверять ключевые параметры: Vds=100В, Id > 100А, Rds(on) ~ 2.0 мОм, корпус TO-220.

• STMicroelectronics:
  • STP140N10F7 — Очень близкий аналог (100В, 130А, 2.4 мОм).
  • STH140N10F7 — Аналог в корпусе TO-247 (мощнее).
• Vishay / Siliconix:
  • SUD140N10-20L (или аналоги из серии) — Высококачественный аналог.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDP100N10 (или FDB100N10) — Популярный аналог (100В, 100А, 3.9 мОм). Rds(on) выше.
  • NTD100N10RG — Близкий по характеристикам.
• International Rectifier (IR):
  • IRF1404 (100В, 162А, 4.0 мОм) — Более старый аналог, параметры могут отличаться.

3. Важные замечания по совместимости:

• Не все транзисторы на 100В и 100А являются прямыми заменами! Критически важным параметром является Rds(on) и заряд затвора (Qg). Более высокий Rds(on) приведет к большему нагреву. Другой Qg может потребовать корректировки драйвера затвора.
• Перед заменой всегда необходимо:
  1. Сравнить datasheet оригинальной и заменяемой детали.
  2. Проверить соответствие распиновки (pinout) корпуса.
  3. Убедиться, что характеристики встроенного диода (если он используется в схеме) подходят.
• Корпус: Прямой механической заменой в слоте TO-220 будут модели в таких же корпусах: TO-220AB, TO-220 Full-Pak, TO-220IS (но проверьте расположение фланца и изоляцию!).

Вывод

Infineon IRFB4310ZPBF — это высокоэффективный и надежный транзистор для мощных ключевых применений, где на первом месте стоит минимизация потерь. Его прямым SMD-аналогом является IRFB4310ZGPBF. Среди аналогов от других брендов наиболее близкими по совокупности параметров являются модели STP140N10F7 и SUD140N10-20L, но окончательный выбор замены должен основываться на изучении даташитов и требований конкретной схемы.