Infineon IRFB9N65APBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для мощного полевого транзистора Infineon IRFB9N65APBF.

Описание и назначение

IRFB9N65APBF — это N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор), выполненный по передовой технологии SuperMOS. Это ключевой элемент для построения высокоэффективных и надежных импульсных источников питания (SMPS), DC-DC преобразователей, мостовых схем, приводов двигателей и систем освещения (в частности, электронных балластов).

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокое напряжение сток-исток (650 В): Позволяет работать в сетевых схемах (85-265 В AC) с достаточным запасом прочности.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 0,85 Ом при 4,5 А и 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии SuperMOS и низким зарядам затвора, что снижает динамические потери.
• Повышенная надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным процессам (EAS), что важно для работы в индуктивных нагрузках.
• Планарная технология: Обеспечивает лучшую стабильность параметров и стойкость к перегреву.
• Корпус TO-220F (Full-Pak): Полностью пластиковый, изолированный корпус. Это важное отличие! Он не требует изолирующей прокладки и втулки при монтаже на радиатор, что упрощает сборку и улучшает тепловые характеристики (ниже тепловое сопротивление "корпус-радиатор").

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, Enhancement Mode | Полевой транзистор с индуцированным каналом | | Корпус | — | TO-220F (Full-Pak) | Полностью изолированный | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 650 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (непрерывный) | I_D | 9 А | При T_c = 25°C | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 36 А | — | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0,85 Ом | max, при V_GS=10 В, I_D=4.5 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | min/max | | Заряд затвора | Q_g | ~ 28 нКл | Типовое значение, влияет на драйвер | | Макс. мощность рассеяния | P_D | 60 Вт | При T_c = 25°C | | Диод "сток-исток" | — | Встроенный (Body Diode) | Параметры: I_SD = 9 А, t_rr ~ 280 нс |

Прямые аналоги и парт-номера (Cross-Reference)

Совместимые модели подбираются по ключевым параметрам: V_DSS ≥ 650В, I_D ≥ 9А, корпус TO-220/TO-220F и низкое R_DS(on).

1. Прямые аналоги от других производителей (очень близкие по параметрам):

• STMicroelectronics: STF9N65M2, STP9NK65Z
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP9N65, FCPF9N65
• Vishay (Siliconix): SUP9N65-21 (обычно в TO-220)
• Toshiba: TK9A65D (в корпусе TO-220SIS)
• Magnachip: MGP9N65

2. Совместимые / Родственные модели от Infineon (в том же семействе или с близкими параметрами):

• В том же корпусе TO-220F:
  • IRFB8N65APBF (8А, 0,95 Ом) — менее мощный.
  • IRFB11N65APBF (11А, 0,65 Ом) — более мощный.
  • IRFB6N65APBF (6А, 1,2 Ом) — менее мощный.
• В стандартном неизолированном корпусе TO-220:
  • IRFB9N65A (тот же кристалл, но корпус TO-220, требует изоляции).
  • IRFBC9N65A (аналогичный).
• Более новые/эффективные серии от Infineon (могут быть прямым апгрейдом):
  • IPP9N65N (из серии CoolMOS™, имеет лучшее соотношение Rds(on) и заряда).
  • SPP9N65C3 (из серии Super Junction, высокая эффективность).

Важные замечания по замене и применению

1. Корпус TO-220F vs TO-220: При замене на транзистор в обычном TO-220 (с металлической площадкой) необходимо использовать слюдяную или керамическую изолирующую прокладку и изолирующую втулку для крепежного винта. При замене на TO-220F это не требуется.
2. Параметры драйвера: Всегда проверяйте заряд затвора (Q_g) и пороговое напряжение (V_GS(th)) при замене. Существенные отличия могут потребовать пересчета элементов обвязки затвора или даже замены драйвера.
3. Рабочая частота: Для высокочастотных применений (сотни кГц) критичны динамические параметры (Q_g, C_iss). Более новые серии (CoolMOS) часто имеют преимущество.
4. Тепловой режим: Несмотря на заявленные 60 Вт, реальная рассеиваемая мощность без массивного радиатора значительно ниже. Обязателен расчет теплового режима.

Вывод: IRFB9N65APBF — это надежный и проверенный временем MOSFET для силовой электроники средней мощности. Его главное преимущество — изолированный корпус TO-220F. При поиске замены в первую очередь стоит рассматривать аналоги от STMicroelectronics и ON Semiconductor, а также более новые серии от самого Infineon для потенциального повышения эффективности итогового устройства.