Infineon IRFP90N20DPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFP90N20DPBF.

Описание и область применения

Infineon IRFP90N20DPBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET®. Это ключевой компонент, разработанный для эффективного управления высокими токами и напряжениями в импульсных режимах.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора, что критически важно для высокочастотных импульсных преобразователей.
• Высокий прямой ток: Способен работать с пиковыми токами до 360А.
• Повышенная надежность: Сочетание высокого напряжения сток-исток и стойкости к лавинным breakdown (Avalanche Rated) обеспечивает устойчивость к перенапряжениям в индуктивных цепях.
• Плавный и контролируемый Body-Diode: Улучшенные характеристики внутреннего диода (меньшее время обратного восстановления Qrr по сравнению с предыдущими поколениями) снижают потери при коммутации в мостовых и синхронных схемах выпрямления.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в силовой части (первичная сторона).
• Мостовые и полумостовые инверторы (например, в сварочных аппаратах, мощных UPS).
• Управление мощными двигателями (мотор-контроллеры, сервоприводы).
• Системы бесперебойного питания (UPS).
• Индукционные нагреватели и мощные DC-DC преобразователи.

Основные технические характеристики (при Tj=25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.023 Ом (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 45 А | | | | 0.015 Ом (тип.) | V_GS = 10 В, I_D = 45 А | | Постоянный ток стока | I_D | 94 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 360 А | - | | Рассеиваемая мощность | P_D | 580 Вт | При T_C = 25°C | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 В | I_D = 250 мкА | | Емкость "вход-выход" | C_rss | 290 пФ (тип.) | V_DS = 25 В, V_GS = 0 В | | Общий заряд затвора | Q_g | 150 нКл (тип.) | V_DS = 160 В, I_D = 94 А | | Заряд обратного восстановления диода | Q_rr | 1.8 мкКл (тип.) | - | | Корпус | - | TO-247AC | Стандартный мощный 3-выводной корпус |

Парт-номера и совместимые модели

Важно понимать, что полная и прямая взаимозаменяемость зависит от конкретной схемы и рабочих условий. Представленные ниже модели имеют схожие ключевые параметры (200В, ~0.02 Ом), но могут отличаться по динамическим характеристикам, внутренней структуре диода или корпусу.

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• IRFP90N20D (более старая версия, без суффикса "PBF". "PBF" означает "Lead-Free" — бессвинцовый).
• IRFP250N (более современная серия, часто имеет лучшие динамические параметры. IRFP250NPBF — близкий аналог, но требует проверки по даташиту).
• Аналоги из других линеек Infineon с близкими значениями RDS(on) и V_DSS (например, IPP200N20N3 в корпусе TO-220).

2. Совместимые/аналогичные модели от других производителей:

При поиске аналога следует ориентироваться на: V_DSS ≥ 200В, I_D ≥ 90А, R_DS(on) ~ 0.02 Ом, корпус TO-247.

• STMicroelectronics:
  • STP90N20DM2 (очень близкий прямой аналог по параметрам и корпусу).
  • STW90N20 (в корпусе TO-247).
• Vishay (Siliconix):
  • SUP90N20-23 (серия TrenchFET®).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDP90N20 (может потребоваться проверка распиновки).
  • NTD90N20R.
• IXYS:
  • Модели из серии IXFH, IXFN (например, IXFH90N20).
• NXP (Philips):
  • Более старые серии, например, PHB90N20.

3. Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитами! Особое внимание уделите:
   • Распиновке (Pinout) корпуса TO-247 (может быть G-D-S или G-S-D).
   • Динамическим параметрам: Q_g, Q_rr, C_iss/C_oss/C_rss — они напрямую влияют на работу драйвера и частотные характеристики.
   • Характеристикам встроенного диода (если он используется в схеме).
   • Зависимости RDS(on) от температуры.
2. Корпус: Убедитесь, что механические размеры и крепление (отверстие под винт) идентичны.
3. Проверьте рабочую точку: Убедитесь, что в вашей схеме новый транзистор работает в пределах безопасной рабочей области (SOA).

Рекомендация: Для новых разработок рекомендуется искать более современные аналоги (например, из серий Infineon OptiMOS или аналогов других брендов), которые могут иметь более низкое R_DS(on) или лучшие динамические параметры при сопоставимой цене. IRFP90N20DPBF — проверенная временем, надежная, но уже не самая современная модель.