Infineon IRFR7746PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFR7746PBF.

Описание

IRFR7746PBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchFET® Gen IV от Infineon. Это ключевой элемент для применений, требующих высокой эффективности и компактных размеров.

Основные особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 1.4 мОм при 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокая нагрузочная способность: Непрерывный ток стока (ID) до 195А в импульсе, что делает его пригодным для сильноточных применений.
• Низкий заряд затвора (Qg): Позволяет использовать более простые и дешевые драйверы, ускоряет переключение и снижает динамические потери.
• Повышенная надежность: Технология Gen IV обеспечивает исключительную стойкость к лавинным нагрузкам (EAS) и устойчивость к динамическому включению (dv/dt).
• Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошим теплоотводом через изолированный или неизолированный фланец.

Типичные области применения:

• Силовые цепи материнских плат и видеокарт (VRM — модули регуляторов напряжения процессора и памяти).
• DC-DC преобразователи в серверах, телекоммуникационном и промышленном оборудовании.
• Управление мощной нагрузкой (моторы, соленоиды) в автомобильной электронике (например, управление двигателями, блоки HID-фар).
• Источники бесперебойного питания (ИБП) и инверторы.
• Синхронное выпрямление в импульсных блоках питания.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Технология | TrenchFET® Gen IV | — | | Корпус | TO-220 (изолированный фланец) | — | | Сток-исток напряжение (VDSS) | 40 В | — | | Непрерывный ток стока (ID) | 195 А | При TC = 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.4 мОм | VGS = 10 В | | | 1.8 мОм | VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.0 - 2.0 В | — | | Заряд затвора (Qg) | 170 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 330 Вт | При TC = 25°C |

Парт-номера и совместимые модели

1. Прямые аналоги и аналоги в других корпусах от Infineon:

• IRFR7746TRPBF – Тот же транзистор в поставке на бобине/ленте (для автоматического монтажа).
• IRFR7746PbF – Альтернативное написание (устаревшее).
• IPP040N04S4-04 – Более современный аналог в корпусе SuperSO8 (PowerSO-8). Имеет сравнимые характеристики (40В, 100А, 0.9 мОм), но в компактном SMD-корпусе для плотного монтажа.
• IRF7746PbF / IRF7746V – Устаревшие версии или варианты в другом корпусе (например, TO-262), требуют проверки даташита.

2. Функциональные и cross-reference аналоги от других производителей:

• Vishay / Siliconix: SUD50N04-08L (40В, 50А, 8.0 мОм) – менее мощный, но в корпусе TO-220.
• ON Semiconductor (Fairchild): FDB195AN40A (40В, 195А, 1.5 мОм) – очень близкий прямой аналог по параметрам.
• STMicroelectronics: STH195N4F7 (40В, 195А, 1.4 мОм) – практически полный аналог.
• NXP Semiconductors: Аналоги в данном типоразмере и классе менее распространены.

3. Важные замечания по совместимости:

• Не является логическим уровнем (Logic Level): Для полного открытия требуется напряжение на затворе близкое к 10В. При управлении от 5В или 3.3В его сопротивление RDS(on) будет значительно выше (смотрите даташит, кривые характеристик). Для низковольтного управления нужны специальные Logic-Level MOSFET.
• Проверка распиновки (Pinout): Всегда сверяйтесь с даташитом конкретного производителя. Хотя для TO-220 она часто стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), возможны исключения.
• Конкретная замена: При замене в критичных по эффективности схемах (например, VRM) необходимо сравнивать не только основные параметры (VDSS, ID, RDS(on)), но и динамические характеристики: Qg, Qgd (заряд Миллера), Ciss — они напрямую влияют на работу драйвера и потери при переключении.

Рекомендация: Для выбора оптимального аналога всегда используйте официальные даташиты и сравнивайте ключевые параметры в условиях, максимально приближенных к вашей схеме (рабочее напряжение, ток, частота переключения, напряжение управления затвором).