Infineon IRG7PH50UPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для IGBT-транзистора Infineon IRG7PH50UPBF.

Описание

IRG7PH50UPBF — это мощный N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247 Plus. Он разработан для применений, требующих высокой эффективности, надежности и устойчивости к перегрузкам, особенно в инверторах, импульсных источниках питания и системах управления электродвигателями (например, в сварочных аппаратах, промышленных приводах, ИБП).

Ключевые особенности, которые выделяют эту модель:

• Технология TrenchStop 4: Позволяет достичь оптимального баланса между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой скоростью переключения, что минимизирует потери на проводимость и переключение.
• Корпус TO-247 Plus: Имеет увеличенную площадь контакта и более толстые выводы по сравнению со стандартным TO-247, что улучшает отвод тепла и позволяет рассеивать большую мощность.
• Встроенный быстрый диод (Co-Pack Diode): В один корпус интегрирован ультрабыстрый обратный диод, что упрощает проектирование схем и улучшает надежность.
• Высокий импульсный ток: Способен выдерживать значительные кратковременные перегрузки по току, что критично для индуктивных нагрузок и пусковых режимов.
• Прямое смещение безопасной рабочей области (FBSOA): Гарантирует стабильную работу транзистора в активном режиме (линейной области) в определенных пределах, что важно для защиты от коротких замыканий.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение (Vces) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (Ic) при 100°C | 60 А | При температуре корпуса 100°C | | Импульсный ток коллектора (Icm) | 120 А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | 2,25 В (тип.) | При Ic=60A, Vge=15V. Низкое значение снижает потери | | Напряжение отпирания затвора (Vge(th)) | 5,0 В (тип.) | Пороговое напряжение | | Рекомендуемое напряжение на затворе (Vge) | ±20 В (макс.) / ±15 В (реком.) | Стандартное управление: +15В/-15В или +15В/0В | | Полная рассеиваемая мощность (Ptot) | 333 Вт | При температуре корпуса 25°C | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Заряд затвора (Qg) | 250 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера затвора | | Время включения (ton) / выключения (toff) | 52 нс / 380 нс (тип.) | При тестовых условиях из даташита | | Тип корпуса | TO-247 Plus | 3 вывода (Collector, Gate, Emitter) |

Важно: Для корректной и надежной работы IGBT обязательно требуется правильно рассчитанный драйвер затвора, обеспечивающий достаточный пиковый ток для быстрой зарядки/разрядки входной емкости.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Это уникальная модель от Infineon. Часто в спецификациях указывается полный номер с суффиксами, обозначающими упаковку:

• IRG7PH50UPBF (отдельный компонент в трубке/лотке)
• IRG7PH50UPBF-ND (код поставщика, например, на Digi-Key)

Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога необходимо учитывать ключевые параметры: Vces (1200В), Ic (60А), корпус (TO-247) и наличие встроенного диода.

1. Прямые функциональные аналоги от других производителей (с близкими параметрами):

• Fuji Electric: 2MBI200UX-120-50 (двойной модуль, но один канал очень близок по параметрам) или серия 2MBI100 в подходящем корпусе.
• ON Semiconductor (Fairchild): FGH60N120SMD (аналогичные 1200В, 60А, TO-247, с диодом).
• STMicroelectronics: STGW60H120DF2 (1200В, 60А, TO-247, с диодом, технология H系列).
• IXYS (Littelfuse): IXGH60N120B3D1 (1200В, 60А, TO-247, с диодом).

2. Совместимые модели в рамках линейки Infineon (для модернизации или замены в схеме):

• Более новая/оптимизированная версия: IRG7PH50UDPBF (с улучшенными динамическими характеристиками).
• Модели с близкими параметрами от Infineon:
  • IRG7PH46UDPBF (1200В, 45А) — если требуется меньший ток.
  • IRG7PH42UD2PBF (1200В, 40А) — более новая серия.
  • Внимание! Модели без суффикса "P" (например, IRG7PH50U) или с другими суффиксами могут иметь отличия в характеристиках диода или упаковке.

Рекомендации по замене

1. Всегда сверяйтесь с даташитами. Даже у моделей с похожими номерами могут быть различия в пороговом напряжении, заряде затвора, времени переключения и характеристиках встроенного диода.
2. Проверьте цоколевку (pinout). Хотя для TO-247 она обычно стандартна (1-Gate, 2-Collector, 3-Emitter), лучше убедиться.
3. Учитывайте параметры драйвера. Если у аналога заряд затвора (Qg) значительно отличается, драйвер может нуждаться в доработке.
4. Для критичных применений рекомендуется проводить тестовые испытания в реальной схеме.

Данный IGBT является надежным и популярным решением для построения мощных силовых каскадов в диапазоне мощностей до нескольких десятков кВт.