Комплектующие для промышленного оборудования Программное обеспечение Для автомобилей Запчасти Сельхозназначение
Корзина
@
Регистрация Забыли пароль

Infineon K15N60

Infineon K15N60
Артикул: 564485
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Варианты оплат Варианты доставки

Описание Infineon K15N60

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon K15N60, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

Infineon K15N60 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™. Он относится к поколению SPP (Super Junction Power MOSFET) и предназначен для использования в импульсных источниках питания, корректорах коэффициента мощности (PFC), инверторах и других силовых электронных устройствах, где критичны высокое напряжение, низкое сопротивление в открытом состоянии и эффективное переключение.

Ключевая особенность CoolMOS: Технология Super Junction позволяет значительно снизить сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) при том же напряжении и площади кристалла по сравнению со стандартными MOSFET, что приводит к меньшим потерям проводимости и лучшему тепловыделению.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Технология | CoolMOS™ SPP (Super Junction) | — | | Корпус | TO-220 | Классический, с возможностью крепления на радиатор. | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 В | Максимальное напряжение отключения. | | Постоянный ток стока (ID) | 15 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (IDM) | 60 А | — | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.19 Ом (макс.) | Ключевой параметр. При VGS=10 В, ID=7.5 А. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~70 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера. | | Время включения (td(on) + tr) | ~30 нс (тип.) | Зависит от схемы драйвера. | | Время выключения (td(off) + tf) | ~65 нс (тип.) | Зависит от схемы драйвера. | | Макс. рассеиваемая мощность (Ptot) | 125 Вт | При температуре корпуса 25°C на радиаторе. | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Встроенный | Параметры: ISD=15 A, VSD ~1.3 В. | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | — | | Температура хранения (Tstg) | от -55 до +150 °C | — |

Парт-номера и маркировка

  • Полное коммерческое обозначение: SPP15N60S5 (это и есть основное имя семейства, K15N60 — одно из его представлений).
  • Маркировка на корпусе (TO-220): Обычно наносится K15N60 или 15N60.
  • Варианты в зависимости от партии/поставщика: Иногда может встречаться как SPP15N60S5-13 или просто 15N60S5.

Важно: Инфраструктура Infineon со временем менялась (слияния, покупка линейки Power MOSFET у International Rectifier). Поэтому транзистор может встречаться под историческими брендами International Rectifier (IR) или Infineon Technologies.

Совместимые модели (аналоги и замены)

При замене важно сверять не только основные параметры (VDSS, ID), но и, по возможности, динамические характеристики (Qg, RDS(on)) и корпус.

Прямые аналоги от Infineon/IR:

  • SPP15N60S5 (это и есть основное название)
  • IRFB15N60K (аналог от International Rectifier, очень близкие параметры)
  • IRFB15N60KPBF (бессвинцовый аналог)
  • IRFBC15N60K (в корпусе TO-220FP, с изолированной площадкой)

Аналоги от других производителей:

  • STMicroelectronics: STP15NK60Z, STW15NK60Z (в TO-247), STP15NK60FP (в TO-220FP). Обратите внимание: у STMicroelectronics есть серии MDmesh™, которые также являются Super Junction и хорошо подходят для замены.
  • Fairchild/ON Semiconductor: FCP15N60, FQPF15N60 (в TO-220F).
  • Vishay/Siliconix: SUP15N60-18 (серия "POWER MOSFET").
  • Toshiba: TK15A60W (серия "DTMOS").
  • NXP (Philips): Можно искать по параметрам, но прямая замена менее распространена.

Ключевые параметры для поиска замены:

  1. VDSS: 600 В.
  2. ID: от 12 А до 18 А (15 А — номинал).
  3. RDS(on): Желательно не выше 0.25 Ом.
  4. Корпус: TO-220 (или его изолированная версия TO-220FP/FullPak, если это важно для конструкции).
  5. Технология: Предпочтительно Super Junction (CoolMOS, MDmesh, SuperFET и т.д.) для сопоставимой эффективности.

Типичные области применения:

  • Импульсные блоки питания (SMPS) средней и большой мощности.
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC) в компьютерных БП, источниках для светодиодов.
  • Полумостовые и мостовые схемы инверторов.
  • Преобразователи для бытовой техники и промышленного оборудования.

Рекомендация: Перед заменой в критичной схеме всегда сверяйтесь с даташитами обоих компонентов, особенно разделы, касающиеся динамических характеристик и емкостей (Ciss, Coss, Crss), если схема работает на высоких частотах.

Товары из этой же категории