Infineon SKW10N60A

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon SKW10N60A.

Описание

Infineon SKW10N60A — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™), которая обеспечивает исключительно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при высоком рабочем напряжении. Это ключевой компонент для построения высокоэффективных и компактных импульсных источников питания (SMPS).

Основные особенности и применение:

• Технология: CoolMOS™ — обеспечивает высокий КПД и снижение тепловыделения.
• Ключевое преимущество: Очень низкие коммутационные потери и потери проводимости.
• Основные сферы применения:
  • Импульсные источники питания (PFC-каскады, прямоходовые, мостовые и резонансные преобразователи).
  • Инверторы (для солнечной энергии, ИБП).
  • Системы управления двигателями (промышленные приводы).
  • Сварочное оборудование.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | CoolMOS™ (Super Junction) | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 600 В | Максимальное напряжение отключения | | Постоянный ток стока (Id) при 25°C | 10 А | | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 40 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.65 Ом (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 5 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th))| 3 - 5 В | Тип. 4 В | | Заряд затвора (Qg) | 28 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 156 Вт | На бесконечном радиаторе при Tc=25°C | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус с отверстием для крепления радиатора | | Рабочая температура перехода (Tj)| -55 ... +150 °C | |

Важные примечания:

• Напряжение затвора (Vgs): Максимальное напряжение ±30 В. Типичное рабочее напряжение для полного открытия — +10 В.
• Диод сток-исток: Встроенный быстрый обратный диод (Body Diode).

Парт-номера и прямые аналоги (Cross-Reference)

Прямые функциональные и конструктивные аналоги от других производителей, которые можно использовать как замену SKW10N60A в большинстве схем. Всегда сверяйтесь с даташитом перед заменой!

От Infineon (разные корпуса/серии):

• SPW10N60C3 / SPW10N60S5 — Аналоги в корпусе TO-220. Имеют схожие ключевые параметры (600В, 10А), но другой корпус и, возможно, чуть выше Rds(on).
• IPP10N60N — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (без фланца).
• В серии CoolMOS также существуют более новые или оптимизированные версии, например, IPA10N60N (в корпусе TO-220 FullPAK).

От других производителей (Совместимые модели):

• STMicroelectronics: STP10NK60Z, STW10NK60Z (в TO-247), STP10NK60ZFP (в TO-220FP).
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP10N60, FCPF10N60.
• Vishay (Siliconix): SUP10N60-18 (требует проверки по выводам).
• Toshiba: TK10A60W (часто используется как аналог).
• IXYS: IXFH10N60P (мощный аналог).

Рекомендации по замене и совместимости

1. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (TO-247, TO-220, TO-220FP). Они имеют разные габариты и способы крепления к радиатору.
2. Ключевые параметры: При поиске аналога в первую очередь сравнивайте:
   • Vds (должен быть не менее 600В).
   • Id (должен быть не менее 10А).
   • Rds(on) (желательно меньше или равно оригиналу).
   • Qg (заряд затвора) — критично для высокочастотных схем. Больший заряд может потребовать пересчета драйвера затвора.
3. Распиновка (Pinout): Убедитесь, что расположение выводов (Gate, Drain, Source) у аналога совпадает с SKW10N60A. Для корпусов TO-247 и TO-220 она чаще всего стандартная (1-G, 2-D, 3-S), но бывают исключения.
4. Даташит: Всегда изучайте официальный даташит (datasheet) как оригинальной детали, так и предполагаемого аналога, особенно разделы Absolute Maximum Ratings и Electrical Characteristics.

Вывод: Infineon SKW10N60A — это надежный и эффективный MOSFET для силовой электроники средний мощности. Благодаря популярности и стандартизированным параметрам, он имеет множество прямых и косвенных аналогов от ведущих мировых производителей.